[发明专利]一种铟锭真空除铊的方法在审
申请号: | 202110629227.2 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN113481390A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 张文涛;肖红军;刘鸿飞;姚雁斌 | 申请(专利权)人: | 先导薄膜材料有限公司 |
主分类号: | C22B58/00 | 分类号: | C22B58/00;C22B9/04 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文 |
地址: | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 方法 | ||
本发明公开了一种铟锭真空除铊的方法,属于冶金领域。本发明所述铟锭真空除铊的方法将铟锭直接在真空中进行高温物理除铊,相比于传统氯化铵除铊法,无需进行化学反应,不仅可避免产生污染物或烟尘等有害物质,实现真正的除杂零排放;同时也无需后续进行渣料处理,减少操作步骤,除铊效率明显提高,且所得铟锭产品纯度较高。
技术领域
本发明涉及冶金领域,具体涉及一种铟锭真空除铊的方法。
背景技术
铟锡氧化物(ITO)靶材或者含铟靶材的制备和使用过程中需要用到大量的高纯铟(99.99%以上)金属,而高纯铟目前主要通过电解精炼法进行提纯制备。然而,这种方法通常电解后的铟锭中会有铊元素富集,导致后续电解产出的铟锭不合格,此时需要使用进一步除杂手段进行除杂,才能满足铟金属4.5N纯度的要求。
现有技术中原铟锭除铊的方法是在浇铸炉内添加氯化铵进行铊除杂,但是该方法会产生大量的烟尘及较多的铟损失,后续的渣料还需要进行湿法处理,导致处理成本高,对环境污染大。
发明内容
基于现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种铟锭真空除铊的方法,该方法可以避免废气及废物产生,实现零废物排放,同时可保障制备的铟金属中铟损伤量少,产品纯度高。
为了达到上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种铟锭真空除铊的方法,包括以下步骤:
(1)将含铊铟锭置入模具中并装入中频炉内,随后炉内进行真空处理并维持真空度在0.05~0.5Pa;
(2)将中频炉升温至1150~1250℃并保温后,冷却至室温,出炉,即得到除铊后的铟锭。
本发明所述铟锭真空除铊的方法相比于传统氯化铵除铊法,无需进行化学反应,不仅可避免产生污染物或烟尘等有害物质,实现真正的除杂零排放;同时也无需后续进行渣料处理,减少操作步骤,除铊效率明显提高,且所得铟锭产品纯度较高。
优选地,所述含铊铟锭的纯度>99.99%。
优选地,所述中频炉的加热方式为电磁感应加热。
相比于传统电阻式加热方法,优选使用电磁感应加热对铟锭进行加热,不仅受热更加均匀,同时加热效率更高,耗能更低,更适用于工业化规模生产中。
优选地,步骤(2)所述升温的速率为95~105℃/h。
优选地,步骤(2)所述升温后的温度为1180~1220℃。
优选地,步骤(2)所述保温的时间为8~10h。
通过合适的升温及保温参数设置,可使铟锭中的铊在真空条件下迅速分离。
优选地,所述除铊后的铟锭的纯度≥4.5N。
本发明的有益效果在于:本发明提供了一种铟锭真空除铊的方法,该方法将铟锭直接在真空中进行高温物理除铊,相比于传统氯化铵除铊法,无需进行化学反应,不仅可避免产生污染物或烟尘等有害物质,实现真正的除杂零排放;同时也无需后续进行渣料处理,减少操作步骤,除铊效率明显提高,且所得铟锭产品纯度较高。
附图说明
图1为本发明所述铟锭真空除铊方法的示意流程图。
具体实施方式
为了更好地说明本发明的目的、技术方案和优点,下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明,其目的在于详细地理解本发明的内容,而不是对本发明的限制。
实施例1
本发明所述一种铟锭真空除铊的方法,如图1所示,包括以下步骤:
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