[发明专利]半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一基材，具有从该基材的一前表面延伸到该基材中的一井区；

一第一半导体鳍片，在该井区上；

一浅沟槽隔离结构，横向地围绕该第一半导体鳍片的一下部；

一源极/漏极结构，在该第一半导体鳍片上；

一第一埋入式电源线，电耦合到该第一半导体鳍片上的该源极/漏极结构，该第一埋入式电源线的一长度沿着该第一半导体鳍片的一长度方向延伸，并且该第一埋入式电源线的一高度从该浅沟槽隔离结构内延伸到该井区内；

一第一基材通孔，从该基材的一背表面延伸到该第一埋入式电源线；以及

一第二基材通孔，从该基材的该背表面延伸到该井区。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，在一平面图中，该第二基材通孔在该第一半导体鳍片和该第一埋入式电源线之间。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包含在该井区上的一第二半导体鳍片，其中，在一平面图中，该第二基材通孔在该第一半导体鳍片和该第二半导体鳍片之间。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包含一第二埋入式电源线，该第二埋入式电源线的一长度沿着该第一半导体鳍片的该长度方向延伸，其中，该第一半导体鳍片在该第二埋入式电源线和该第一埋入式电源线之间。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包含跨过该第一半导体鳍片延伸的一栅极结构，其中，在一平面图中，该第二基材通孔与该栅极结构重叠。

6.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一基材，具有一P型井区和与该P型井区相邻的一N型井区，其中该P型井区和该N型井区从该基材的一前表面延伸到该基材中；

一第一半导体鳍片，设置在该P型井区上；

一第二半导体鳍片，设置在该N型井区上；

一第一基材通孔，从该基材的一背表面延伸到该P型井区；以及

一第二基材通孔，从该基材的该背表面延伸到该N型井区。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，还包含：

一第三半导体鳍片，在该基材上；

一源极/漏极结构，在该第三半导体鳍片上；

一埋入式电源线，部分地埋入在该基材中；

一源极/漏极接触，将该源极/漏极结构电连接到该埋入式电源线；以及

一第三基材通孔，从该基材的该背表面延伸到该埋入式电源线。

8.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，还包含：

一第三半导体鳍片，在该基材上；

一第一源极/漏极结构和一第二源极/漏极结构，分别在该第一半导体鳍片和该第三半导体鳍片上；

一后段制程堆叠，在该第一源极/漏极结构和该第二源极/漏极结构上；以及

一第三基材通孔，从该基材的该背表面延伸到该后段制程堆叠。

9.一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成一井区，从一基材的一前表面延伸到该基材中；

形成一半导体鳍片在该井区上；

形成一源极/漏极结构在该半导体鳍片上；

刻蚀一沟槽于该井区中；

形成一埋入式电源线在该井区的该沟槽中；

形成一源极/漏极接触，以将该源极/漏极结构电连接到该埋入式电源线；

执行一蚀刻制程于该基材的一背表面上，以形成暴露出该埋入式电源线和该井区的多个开口；以及

使用一导电材料填充所述多个开口，以形成多个硅通孔。

10.根据权利要求9所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，在该蚀刻制程期间，将该埋入式电源线作为一蚀刻停止层。