[发明专利]一种GaN-HEMT器件上倾角结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110631236.5 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113314416A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 刘胜北 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 倾角 结构 制备 方法 | ||
1.一种GaN-HEMT器件上倾角结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)在GaN-HEMT外延结构晶圆的表面依次生长第一SiN层、多晶硅层、二氧化硅层与第二SiN层；
(2)光刻开口，依次刻蚀第二SiN层、二氧化硅层与多晶硅层，以形成一深沟槽，使多晶硅层的侧壁暴露；
(3)氧化处理光刻开口后的GaN-HEMT，使多晶硅层形成倾角结构；
(4)刻蚀去除所述第二SiN层与二氧化硅层；
(5)刻蚀处理多晶硅层及第一SiN层，使多晶硅层的倾角结构形貌转移至第一SiN层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述生长第一SiN层、多晶硅层、二氧化硅层与第二SiN层的方法包括化学气相沉积、原子层沉积、溅射或氧化生长中的任意一种或至少两种的组合。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述刻蚀为：使用光刻胶做掩膜，通过干法刻蚀依次刻蚀第二SiN层、二氧化硅层与多晶硅层，然后去除光刻胶掩膜。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述氧化处理包括干氧氧化和/或湿氧氧化。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述刻蚀去除的方法包括湿法腐蚀和/或干法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述刻蚀处理的方法包括干法刻蚀。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述具有GaN-HEMT外延结构晶圆包括层叠设置的衬底、GaN外延层与势垒层；
所述势垒层的材料包括AlGaN、InGaN或InAlGaN中的任意一种或至少两种的组合。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括步骤(5)之后的步骤(6)：刻蚀势垒层与具有倾角结构的第一SiN层，实现倾角栅结构的制备。
9.根据权利要8所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述刻蚀的方法包括干法刻蚀。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)在具有GaN-HEMT外延结构晶圆的表面依次生长第一SiN层、多晶硅层、二氧化硅层与第二SiN层；
(2)光刻开口，依次刻蚀第二SiN层、二氧化硅层与多晶硅层，以形成一深沟槽，使多晶硅层的侧壁暴露；所述刻蚀为使用光刻胶做掩膜，通过干法刻蚀依次刻蚀第二SiN层、二氧化硅层与多晶硅层，然后去除光刻胶掩膜；
(3)氧化处理光刻开口后的GaN-HEMT，使多晶硅层形成倾角结构；
(4)刻蚀去除所述第二SiN层与二氧化硅层；所述刻蚀去除的方法包括湿法腐蚀和/或干法刻蚀；
(5)干法刻蚀处理多晶硅层及第一SiN层使多晶硅层的倾角结构形貌转移至第一SiN层；
(6)干法刻蚀势垒层与具有倾角结构的第一SiN层，实现倾角栅结构的制备。
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