[发明专利]一种混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法在审
| 申请号： | 202110632720.X | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113355694A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 董振标;蔡义强;马俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C25B11/091 | 分类号： | C25B11/091;C25D11/26;C25B1/04;C25B1/55;B82Y40/00;B82Y30/00 |
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| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 混晶相铌 掺杂 氧化 纳米 阵列 阳极 制备 方法 | ||
1.一种混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：Ti-Nb合金经阳极氧化后再进行晶化处理，即得混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极；其中，所得混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的相结构为包括锐钛矿晶型结构和金红石晶型结构的混晶相。
2.根据权利要求1所述的混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，所述Ti-Nb合金通过真空电弧炉熔炼制得。
3.根据权利要求1所述的混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，所述Ti-Nb合金中Nb的质量分数为0.5％～3％。
4.根据权利要求1所述的混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，所述阳极氧化具体包括以下步骤：将Ti-Nb合金作为阳极，石墨板作为阴极，以0.4wt％NH4F和2vol％H2O的乙二醇混合溶液作为电解液，在直流电压为40V的条件下氧化0.5～2h。
5.根据权利要求1所述的混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，所述Ti-Nb合金通过氧化铝水砂纸打磨至表面无划痕，然后依次用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗后再进行阳极氧化。
6.根据权利要求1所述的混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，所述Ti-Nb合金经阳极氧化后通过去离子水将表面残留杂质清洗干净、N2气流吹干干燥，然后再进行晶化处理。
7.根据权利要求1所述的混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，所述晶化处理具体包括以下步骤：将阳极氧化处理后的Ti-Nb合金在525℃～575℃下煅烧1～2.5h，随炉冷却即得混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极。
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