[发明专利]一种3D-MEMS探针的制造方法在审
| 申请号： | 202110632967.1 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113562686A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 施元军 | 申请（专利权）人： | 苏州韬盛电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 闫露露 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 探针 制造 方法 | ||
1.一种3D-MEMS探针的制造方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
S1：在衬底上溅射一层种子层；
S2：旋涂负的或者正的SU8光刻胶；
S3：制作相关图案掩膜，并利用光刻机对产品进行曝光并显影；
S4：利用电镀的方法生长出高强度金属；
S5：利用湿法或者干法去除相关的光刻胶；
S6：利用电镀在所述高强度金属和暴露的所述种子层上生长出高于所述高强度金属厚度的金属层；
S7：利用研磨机器将步骤S6电镀完成的金属层研磨至所述高强度金属的厚度；
S8：重复步骤S2-S7；
S9：利用湿法去除所述种子层和所述金属层，将3D结构探针从衬底上面剥离后，收集并清洗。
2.根据权利要求1所述的3D-MEMS探针的制造方法，其特征在于，步骤S1中所述的衬底为Silicon或者陶瓷。
3.根据权利要求1所述的3D-MEMS探针的制造方法，其特征在于，步骤S1中所述的种子层的厚度为10nm～200nm。
4.根据权利要求1所述的3D-MEMS探针的制造方法，其特征在于，步骤S1中所述的种子层为铜层。
5.根据权利要求1所述的3D-MEMS探针的制造方法，其特征在于，步骤S4中所述的高强度金属为Pd或Pd合金。
6.根据权利要求1所述的3D-MEMS探针的制造方法，其特征在于，步骤S6中所述的金属层为铜层。
7.根据权利要求1所述的3D-MEMS探针的制造方法，其特征在于，步骤S7中所述的金属层研磨过程中，研磨的厚度为1-20um。
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