[发明专利]一种自支撑类珊瑚状阵列结构电极的制备方法

权利要求书

1.一种自支撑类珊瑚状阵列结构电极的制备方法，包括以下步骤：

(1)前驱体阵列结构的制备：以泡沫镍为基底，用稀硝酸、乙醇以及去离子水多次冲洗，除去表面有机杂质及氧化层，自然晾干，称取一定量六水合硝酸镍、六水合硝酸铈、尿素以及氟化铵分散在一定体积去离子水中，转移至反应釜中，搅拌均匀溶解，将泡沫镍转移至其中并封装，转移至烘箱中，恒温一定时长，自然降温，将产物从反应釜中取出，用去离子水以及乙醇反复冲洗，在真空烘箱中烘干，制得氢氧化镍/二氧化铈纳米片阵列；

在步骤(1)中，所述的泡沫镍厚度为0.5～1.7mm，所使用的硝酸浓度为5％～30％，冲洗次数为3～5次，六水合硝酸镍的用量为0.9～1.8g，六水合硝酸铈用量为0.4～0.9g，尿素用量为1.2～2.4g，氟化铵用量为0.4～0.9g，所用的去离子水的体积为30～90mL，所使用的反应釜体积为50或100ml，真空烘箱的温度选为100～120℃，保温时长为6～10h；

(2)磷化镍/二氧化铈类珊瑚状纳米阵列的制备：将步骤(1)得到的氢氧化镍/二氧化铈纳米片阵列置入一瓷舟中，将一定量次亚磷酸钠置入另一瓷舟中，置于上风向，随后通入惰性气体，以特定的升温速率将管式炉升温至某一温度后，维持一定时长，对氢氧化镍/二氧化铈纳米片阵列进行选择性磷化处理，制得磷化镍/二氧化铈类珊瑚状纳米阵列；

在步骤(2)中，次亚磷酸钠用量为50～100mg，惰性气体可选氩气或氮气中的一种，气体流速为30～100sccm，管式炉的升温速率为1～3℃/min，恒定温度为250～400℃，保温时长为100～300min。