[发明专利]一种适用于高温高压纯氢气环境的钐钴永磁体的制备方法

权利要求书

1.一种钐钴永磁体的制备方法，其特征在于包含以下步骤：

（1）按元素配比配料后将原料在惰性环境下熔炼得到合金铸锭或铸片；

（2）将所得铸锭或铸片在通氮气条件下破碎处理，随后在惰性环境下经气流磨制得钐钴粉体；

（3）将所得钐钴粉体在惰性环境及磁场中取向成型，然后冷等静压，得到钐钴磁体生坯；

（4）将钐钴磁体生坯在惰性环境下烧结及固溶处理，得到烧结钐钴磁体毛坯，随后在惰性环境下时效处理得到钐钴磁体；

（5）对钐钴磁体表面清洁处理，采用磁控溅射镀膜设备在钐钴磁体表面依次镀含Ni、Cu和NiCu合金中的一种或多种的基体镀层、AlCrZnN镀层和DyNiAl镀层；AlCrZnN镀层的厚度为6-15µm，AlCrZnN镀层中AlZn的含量为45-55wt%；DyNiAl镀层的厚度为4-8µm，DyNiAl镀层中的Dy的含量为0.05-0.1wt%。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，按Sm(Co_1-x-y-vFe_xCu_yZr_v)_z进行配料，其中x=0.18~0.26，y=0.14~0.2，v=0.01~0.03，z=7.0~7.5；z为过渡族元素Co、Fe、Cu、Zr与稀土元素Sm的原子比。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述钐钴粉体的粒度为3.8-4.5µm。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述磁场的磁场强度为1-5T，所述冷等静压的压力为180-230MPa。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，

所述烧结的温度为1170-1230 ℃，时间为1～5 h；

所述固溶的温度1165～1195 ℃，时间为2～5 h，固溶后快冷至室温；

所述时效的过程为在800～850 ℃保温5～40 h，随后以0.5～1 ℃/min降温至400～500 ℃，保温5～20 h，然后风冷或随炉自然冷却至常温。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）-（4）中，所述惰性环境为氩气环境。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，所述基体镀层的厚度为2-6µm。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，所述表面清洁处理包括酸洗处理和/或磷化处理。