[发明专利]一种纳米晶带材接头工艺在审

专利信息
申请号: 202110635227.3 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN113580396A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 陆宣凯;王建中;姜桂君;裴杰;周苗苗 申请(专利权)人: 信维通信(江苏)有限公司
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B29C65/50
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 张鹏
地址: 213000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 晶带材 接头 工艺
【说明书】:

发明公开了一种纳米晶带材接头工艺,包括如下步骤,将一段纳米晶带材的端部叠放到另一段纳米晶带材的上方,形成一重叠区域,并对两段纳米晶带材分别进行第一次固定;从重叠区域剪断两段纳米晶带材,使两段纳米晶带材形成相吻合的新端头;用第一胶带在新端头处粘接两段纳米晶带材的第一保护盖膜;将两段纳米晶带材翻面并对两段纳米晶带材进行第二次固定;从两段纳米晶带材的新端头处分别掀起两段纳米晶带材的第二保护盖膜;利用第二胶带在新端头处将两段纳米晶带材的材料层连接;利用第三胶带在新端头处将两段纳米晶带材的第二保护盖膜连接。本纳米晶带材接头工艺能够提高纳米晶带材接头质量及一致性,降低了材料的浪费,提高了生产良率。

技术领域

本发明涉及纳米晶带材加工技术领域,尤其涉及一种纳米晶带材接头工艺。

背景技术

近年来,随着智能手机无线充电功能的逐渐普及,无线充电技术以惊人的速度发展。纳米晶有较高的磁导率和饱和磁感应强度,是较为理想的导磁和电磁屏蔽材料,但是纳米晶的电阻率小、损耗高,在充电过程中会降低充电效率。因此需要对纳米晶进行进一步处理,引入碎磁工艺,将纳米晶分割成一个个小的单元,从而减少充电过程中的损耗,提高效率。

纳米晶带材在多层复合工站中,有不良产生时需要将不良带材剪下剔除,并在接头处使用透明胶带对齐连接,由于带材上下两面有保护盖膜,接头时需要连接三层(两层保护盖膜以及位于两层保护盖膜之间的材料层),如果对接不齐或连接不够平顺,在后继测试工站中,保护盖膜会脱离、偏位导致整卷带材褶皱报废,带来不良增多及经济损失。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:提供一种能够提高纳米晶带材接头质量的纳米晶带材接头工艺。

为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种纳米晶带材接头工艺,包括如下步骤,

将一段纳米晶带材的端部叠放到另一段纳米晶带材的上方,形成一重叠区域,并对两段纳米晶带材分别进行第一次固定;

从所述重叠区域剪断两段纳米晶带材,使两段纳米晶带材形成相吻合的新端头;

在两段纳米晶带材的新端头的下方垫上支撑块以使两段纳米晶带材的新端头支撑于所述支撑块上;

用第一胶带在所述新端头处粘接两段纳米晶带材的第一保护盖膜;

解除对两段纳米晶带材的第一次固定,将两段纳米晶带材翻面并对两段纳米晶带材进行第二次固定;

从两段纳米晶带材的新端头处分别掀起两段纳米晶带材的第二保护盖膜;

利用第二胶带在所述新端头处将两段纳米晶带材的材料层连接;

将掀起的所述第二保护盖膜复位,并利用第三胶带在所述新端头处将两段纳米晶带材的第二保护盖膜连接,完成两段纳米晶带材的接头。

本发明的有益效果在于:采用本纳米晶带材接头工艺的两段纳米晶带材能够形成相吻合的新端头,可以让两段纳米晶带材的新端头紧实、平顺的过渡,大大降低了气泡、褶皱产生的几率,有效的提高了纳米晶带材接头质量及一致性,从而减少后续测试工站的不良,降低了材料的浪费,提高了生产良率。

附图说明

图1为本发明实施例一和实施例三所提及的纳米晶带材接头治具的正视图;

图2为本发明实施例一和实施例三所提及的纳米晶带材接头治具的俯视图;

图3为本发明实施例一和实施例三所提及的纳米晶带材接头治具的侧视图;

图4为本发明实施例二和实施例三所提及的纳米晶带材接头工艺的流程框图。

标号说明:

1、磁台;11、外壳体;12、控制开关;

21、第一固定座;22、第一压板;

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