[发明专利]一种OLED器件结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种应用于OLED器件结构技术领域的OLED器件结构的制备方法，本发明还涉及OLED器件结构，所述的OLED器件结构的制备方法的制备步骤为：S1.阳极成膜；S2.阳极图形化；S3.PDL成膜；S4.PDL图形化；S5.纳米金属团簇成膜：使用真空蒸镀或者溶胶旋涂的方式形成簇成膜，通过控制真空度、蒸镀时间或者溶胶的浓度以及旋涂的速率和时间控制纳米金属团簇的尺寸；纳米金属团簇的中金属，本发明所述的OLED器件结构的制备方法及OLED器件结构，步骤简单，减少PDL区域造成的光损耗，提高器件发光效率。

技术领域

本发明属于OLED器件结构技术领域，更具体地说，是涉及一种OLED器件结构的制备方法，本发明还涉及OLED器件结构。

背景技术

硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底，并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。硅基OLED均为顶发射器件，而且应用于AR产品中，要求器件有更高的亮度，为了达到产品要求：一方面使用性能更高的OLED材料，来提高其发光效率；另一方面，使用多单元叠层结构来提高发光效率和亮度。以上两种方法均存在局限性，OLED材料研发周期长，性能提升也会有明显的瓶颈；而叠层器件工作电压高，功耗高。对于常规的OLED器件来说，其发光效率只有20％(外量子效率)左右。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，利用顶发射器件中向下发射的光来激发金属团簇使之形成表面等离子体激元，利用表面等离子激元将PDL吸收的光再次转化为发光的特点，减少PDL区域造成的光损耗，提高器件的发光效率的OLED器件结构的制备方法。

要解决以上所述的技术问题，本发明采取的技术方案为：

本发明为一种OLED器件结构的制备方法，所述的OLED器件结构的制备方法的制备步骤为：

S1.阳极成膜；

S2.阳极图形化；

S3.PDL成膜；

S4.PDL图形化；

S5.纳米金属团簇成膜：使用真空蒸镀或者溶胶旋涂的方式使得纳米金属团簇成膜，通过控制真空度、蒸镀时间或者溶胶的浓度以及旋涂的速率和时间控制纳米金属团簇的尺寸；纳米金属团簇的金属选取Ag或者Na。

阳极成膜时，在基板上使用PVD物理气相沉设备沉积金属的阳极反射层和透明导电的阳极ITO层，阳极反射层为反射高的金属，如Ag或者Al，阳极反射层厚度为100nm-150nm，阳极ITO层厚度为20nm-40nm。

该阳极反射层厚度和阳极ITO层厚度搭配下，保证器件阳极的反射率＞90％，以及与OLED器件匹配的功函数≥4.6eV。

阳极图形化时，使用photo工艺，将阳极ITO层刻蚀成像素级别形状。

PDL成膜时，使用CVD工艺沉积PDL层，PDL层为SIO或者SIN，PDL层厚度为50nm-100nm。

PDL图形化时，使用photo工艺，将PDL层刻蚀成梯形，PDL层的tap角度＜60°。

本发明还涉及一种结构简单，利用顶发射器件中向下发射的光来激发金属团簇使之形成表面等离子体激元，利用表面等离子激元将PDL吸收的光再次转化为发光的特点，减少PDL区域造成光损耗，提高器件的发光效率的OLED器件结构。

所述的OLED器件结构包括基板衬底、阳极反射层、阳极ITO层、PDL层、纳米金属团簇层、OLED层。