[发明专利]一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110636320.6 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN113307621A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 李玲霞;战宇;杜明昆;倪立争 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622;C04B35/63
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 琪琛
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 值钛酸锂基 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料,其特征在于,其化学式为Li2TiO3+xM,其中M为Li2CO3、MgO、LiF、MgF2或MgO+LiF,x为M占Li2TiO3的质量百分比,x=x=1wt.%~3wt.%。

2.根据权利要求1所述的一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料,其特征在于,M为MgO+LiF的情况下,MgO与LiF的摩尔比为1:2。

3.一种如权利要求1或2所述高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,该方法按照以下步骤进行:

(1)将Li2CO3和TiO2按化学计量式Li2TiO3进行配料,将混合配料、去离子水、磨球在球磨罐中球磨4~24小时;

(2)将步骤(1)球磨后所得原料烘干、过40目筛;

(3)将步骤(2)过筛后的粉料放入坩埚中于800~1000℃预烧,保温2~8小时,然后过40目筛;

(4)将步骤(3)过筛后的粉料按照质量百分比为x添加M掺杂剂,其中M为Li2CO3、MgO、LiF、MgF2或MgO+LiF,x=1wt.%~3wt.%;将添加M掺杂剂的混合配料、去离子水、磨球在球磨罐中球磨4~24小时;

(5)将步骤(4)球磨后所得原料烘干、过40目筛;

(6)将步骤(5)所得粉料添加粘结剂进行造粒,过80目筛;

(7)将步骤(6)所得粉料压制成生坯;

(8)将步骤(7)所得生坯于1100~1180℃烧结,保温2~8小时,得到所述高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料。

4.根据权利要求2所述的一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)和步骤(4)中均采用行星式球磨机进行球磨,球磨机转速为400转/分;磨球均为氧化锆球,球磨罐均为聚酯球磨罐。

5.根据权利要求4所述的一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)和步骤(4)中混合配料、去离子水、氧化锆球的质量比为1:30:15。

6.根据权利要求3所述的一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)和步骤(5)中的烘干温度均为100~120℃,烘干时间均为4~6小时。

7.根据权利要求3所述的一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中的坩埚为氧化铝坩埚。

8.根据权利要求3所述的一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(6)中的粘结剂为质量百分比含量为8%的石蜡。

9.根据权利要求3所述的一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(7)采用粉末压片机压制生坯,粉末压片机的工作压力为2~6MPa。

10.根据权利要求3所述的一种高Q值钛酸锂基微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(7)的生坯直径为10mm,厚度为4~5mm。

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