[发明专利]一种采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法

权利要求书

1.一种采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法，其特

征在于，包括如下步骤：

S1：将玻璃基片置于含K⁺熔盐中进行离子交换处理，在所述玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层，包括以下步骤：

在玻璃基片正面表面制作内阻挡层掩膜，并在玻璃基片背面表面制作条形的内阻挡层掩膜；

将带有内阻挡层掩膜的玻璃基片置于含K⁺熔盐中进行离子交换处理，使K⁺在玻璃基片背面的未被内阻挡层掩膜遮盖的区域进入所述玻璃基片，在所述玻璃基片背面表面的非光波导对应区域形成高电阻率的内阻挡层；

去除所述带有内阻挡层的玻璃基片表面的内阻挡层掩膜，得到带有内阻挡层的玻璃基片；

S2：通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理，在背面带有内阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区，包括以下步骤：

在所述背面带有内阻挡层的玻璃基片表面制作含有离子交换窗口的光波导掩膜；

将带有所述背面内阻挡层和所述光波导掩膜的玻璃基片置于含有掺杂离子的熔盐中进行离子交换处理，使所述含有掺杂离子的熔盐中的掺杂离子通过扩散在玻璃基片表面形成表面离子掺杂区；

去除形成了所述表面离子掺杂区的玻璃基片表面的光波导掩膜；

对带有所述内阻挡层和所述表面离子掺杂区的玻璃基片进行电场辅助迁移处理，使所述玻璃基片表面的表面离子掺杂区在直流电场作用下向内部推进，形成掩埋式离子掺杂区；

其中，在进行所述电场辅助离子迁移处理过程中，玻璃基片背面高电阻率的内阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征，抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势，提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性；

所述玻璃基片背面表面的条形的内阻挡层掩膜的宽度小于所述玻璃基片表面计划制作光波导芯部的宽度。

2.根据权利要求1 所述的一种采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法，其特征在于：所述玻璃基片的材料为硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃或硼酸盐玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法，其特征在于：所述掺杂离子为Ag⁺、Tl⁺或Cs⁺。

4.如权利要求1所述的一种采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法，其特征在于：所述玻璃基片背面表面的条形的内阻挡层掩膜的中心轴线与所述玻璃基片表面计划制作光波导的中心线重合。

5.如权利要求1所述的一种采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法，其特征在于：所述光波导掩膜的离子交换窗口的中心轴线与所述玻璃基片表面计划制作光波导位置的中心线重合。