[发明专利]基片处理装置和气体供给配管的吹扫方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

在内部能够用腐蚀性的处理气体对基片实施处理的处理腔室；

气体供给配管，其与所述处理腔室连接，连通至所述处理腔室的内部；

处理气体配管，其经由第一阀连接到所述气体供给配管，将所述处理气体导入所述气体供给配管；

吹扫气体配管，其在所述第一阀的所述处理腔室侧，经由第二阀连接到所述气体供给配管，将吹扫气体导入所述气体供给配管；和

连动开放部，其在所述第一阀关闭的状态下，与向所述处理腔室的内部的大气导入连动地使所述第二阀开放。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理腔室由主体和盖密闭地构成，

所述大气导入通过使所述盖从所述主体脱离，而将大气导入所述处理腔室的内部。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述连动开放部响应于所述盖从所述主体的脱离，使所述第二阀开放。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

所述连动开放部通过机械阀检测出所述盖从所述主体的脱离，利用对与所述机械阀连接的驱动用配管从所述吹扫气体配管分支地供给的吹扫气体，使所述第二阀开放。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述吹扫气体是干燥空气。

6.一种气体供给配管的吹扫方法，所述气体供给配管是基片处理装置中的气体供给配管，所述气体供给配管的吹扫方法的特征在于，包括：

关闭处理气体配管的第一阀的步骤，其中，所述处理气体配管经由所述第一阀连接到与在内部能够用腐蚀性的处理气体对基片实施处理的处理腔室连接的气体供给配管，将所述处理气体导入所述气体供给配管；和

与向所述处理腔室的内部的大气导入连动地，使在所述第一阀的所述处理腔室侧经由第二阀连接到所述气体供给配管的吹扫气体配管的所述第二阀开放，将吹扫气体导入所述气体供给配管的步骤。