[发明专利]开关功率变换器的驱动装置、开关电源

权利要求书

1.一种开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述开关功率变换器包括开关器件；

所述驱动装置包括：驱动电源输入端、驱动电路、压降电路、电压保持电路和驱动电源输出端；所述压降电路和所述电压保持电路的输出端均与所述驱动电源输出端连接；

所述驱动电源输入端，用于外接输入电源；

所述驱动电源输出端，用于连接所述开关器件的控制端；

所述驱动电路，用于在所述驱动电源输入端的电压大于电压阈值的情况下，控制所述压降电路的输入端与所述驱动电源输入端连接；以及在所述驱动电源输入端的电压不大于所述电压阈值的情况下，控制所述电压保持电路的输入端与所述驱动电源输入端连接；

所述压降电路，用于对所述输入电源提供的电压经过压降后输出至所述开关器件；

所述电压保持电路，用于将所述输入电源提供的电压输出至所述开关器件。

2.根据权利要求1所述的开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述驱动电路包括：第一比较器；

所述第一比较器的正相输入端与所述驱动电源输入端连接，所述第一比较器的负相输入端与第一参考电压源连接，所述第一比较器的输出端分别与所述压降电路的控制端和所述电压保持电路的控制端连接；其中，所述第一参考电压源的电压与所述电压阈值的差值小于差值阈值。

3.根据权利要求2所述的开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述压降电路包括：

NMOS管，所述NMOS管的栅极作为所述压降电路的控制端与所述第一比较器的输出端连接，所述NMOS管的漏极作为所述压降电路的输入端与所述驱动电源输入端连接，所述NMOS管的源极作为所述压降电路的输出端与所述驱动电源输出端连接。

4.根据权利要求2所述的开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述电压保持电路包括：

PMOS管，所述PMOS管的栅极作为所述电压保持电路的控制端与所述第一比较器的输出端连接，所述PMOS管的漏极作为所述电压保持电路的输出端与所述驱动电源输出端连接，所述PMOS管的源极作为所述电压保持电路的输入端与所述驱动电源输入端连接。

5.根据权利要求2所述的开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述驱动装置还包括：

延迟竞争冒险电路，所述第一比较器的输出端通过所述延迟竞争冒险电路与所述电压保持电路的控制端连接，所述延迟竞争冒险电路用于确保所述驱动电源输入端不同时与所述压降电路的输入端、所述电压保持电路的输入端连接。

6.根据权利要求5所述的开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述延迟竞争冒险电路包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与第一比较器的输出端连接，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端与所述电压保持电路的控制端连接。

7.根据权利要求5所述的开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述驱动装置还包括：

过压保护电路，所述驱动电源输入端通过所述过压保护电路与所述第一比较器的正相输入端，所述过压保护电路用于将所述驱动电源输入端的电压控制在预设电压范围内。

8.根据权利要求7所述的开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述过压保护电路包括：第二比较器和MOSFET管；所述第二比较器的正相输入端与所述驱动电源输入端连接，负相输入端与第二参考电压源连接，输出端与所述MOSFET管的驱动端连接；所述MOSFET管的输入端与所述输入电源连接，所述MOSFET管的输出端与所述驱动电源输入端连接。

9.根据权利要求7所述的开关功率变换器的驱动装置，其特征在于，所述驱动电源输入端、所述驱动电路、所述压降电路、所述电压保持电路、所述驱动电源输出端、所述延迟竞争冒险电路和所述过压保护电路集成于同一芯片上。

10.一种开关电源，其特征在于，包括：开关功率变换器和如权利要求1-9中任一项所述的驱动装置，所述开关功率变换器包括开关器件，所述驱动装置用于驱动所述开关器件。