[发明专利]一种低功耗低线性灵敏度基准电压源

权利要求书

1.一种低功耗低线性灵敏度基准电压源，其特征在于，其包括线性灵敏度补偿电路和低功耗基准电压产生电路；

线性灵敏度补偿电路对低功耗基准电压产生电路进行一阶线性灵敏度电流补偿；

低功耗基准电压产生电路中的主要MOS管均工作于弱反型区，可实现低供电电压下，低功耗运行，并精准稳定输出基准电压。

2.根据权利要求1所述一种低功耗低线性灵敏度基准电压源，其特征在于，线性灵敏度补偿电路包括MOS管M1至M14；

MOS管M1的源极连接电源VDD，MOS管M1的栅极连接MOS管M4的栅极，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的漏极；MOS管M2的漏极连接MOS管M2的栅极，MOS管M2栅极连接MOS管M1的漏极，MOS管M2的源极连接MOS管M3的漏极；MOS管M3的漏极连接MOS管M3的栅极，MOS管M3的栅极连接MOS管M14的栅极，MOS管M3源极接地；MOS管M4的源极连接电源，MOS管M4的栅极连接MOS管M5的栅极，MOS管M4的漏极连接MOS管M5的源极；MOS管M5的的源极连接MOS管M4的漏极，MOS管M5的栅极连接MOS管M8的栅极，MOS管M5的漏极连接MOS管M6的漏极；MOS管M6的漏极连接MOS管M5的栅极，MOS管M6的栅极连接MOS管M10的栅极，MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极；MOS管M7的漏极连接MOS管M12的栅极，MOS管M7的栅极连接MOS管M11的栅极，MOS管M7的源极接地；MOS管M8的源极连接电源VDD，MOS管M8的栅极连接MOS管M15的栅极，MOS管M8的漏极连接MOS管M9的源极；MOS管M9的源极连接MOS管M9的栅极，MOS管M9的栅极连接MOS管M8的漏极，MOS管M9的漏极连接MOS管M10的漏极；MOS管M10的漏极连接MOS管M10的栅极，MOS管M10的栅极连接MOS管M13的栅极，MOS管M10的源极连接MOS管M11的漏极；MOS管M11的漏极连接MOS管M11的栅极，MOS管M11的栅极连接MOS管M10的源极，MOS管M11的源极接地；MOS管M12的漏极连接MOS管M9的漏极，MOS管M12的栅极连接MOS管M6的源极，MOS管M12的源极接地；MOS管M13的漏极连接MOS管M22的漏极，MOS管M13的栅极连接MOS管M10的漏极，MOS管M13的源极连接MOS管M14的漏极；MOS管M14的漏极连接MOS管M13的源极，MOS管M14的栅极连接MOS管M3的漏极，MOS管M14的源极接地。

3.根据权利要求1所述一种低功耗低线性灵敏度基准电压源，其特征在于，低功耗基准电压产生电路包括MOS管M15至M25，电容C1，输出端口Vref；

MOS管M15的源极连接电源VDD，MOS管M15的栅极连接MOS管M18的栅极，MOS管M15的漏极连接MOS管M16的漏极；MOS管M16的漏极连接MOS管M15的漏极，MOS管M16的栅极连接MOS管M23的栅极，MOS管M16的源极连接MOS管M17的漏极；MOS管M17的漏极连接MOS管M16的源极，MOS管M17的栅极连接MOS管M24的源极，MOS管M17的源极接地；MOS管M18的源极连接电源VDD，MOS管M18栅极连接MOS管M22的栅极，MOS管M18的漏极连接MOS管M19的源极；MOS管M19的源极连接MOS管M21的栅极，MOS管M19的栅极连接MOS管M20的栅极，MOS管M19的漏极连接MOS管M20的漏极；MOS管M20的漏极连接MOS管M19的漏极，MOS管M20的栅极连接MOS管M23的源极，MOS管M20的源极接地；MOS管M21的源极连接MOS管M18的栅极，MOS管M21的栅极连接MOS管M18的漏极，MOS管M21的漏极连接电容C1的上端，电容C1的下端接地；MOS管M22的源极连接电源VDD，MOS管M22的栅极连接MOS管M18的栅极，MOS管M22的漏极连接MOS管M23的漏极；MOS管M23的漏极连接MOS管M13的漏极，MOS管M23的栅极连接MOS管M23的漏极，MOS管M23的源极连接MOS管M24的漏极；MOS管M24的漏极连接输出端口Vref，MOS管M24的栅极连接MOS管M24的漏极，MOS管M24的源极连接MOS管M25的漏极；MOS管M25的漏极连接MOS管M17的栅极，MOS管M25的栅极连接MOS管M23的栅极，MOS管M25的源极接地。