[发明专利]一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法

权利要求书

1.一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法，其特征在于：将CdSe/CdS核壳量子点通过正丁醚进行经提纯后，采用乙醇胺对其表面改性，再包覆无机ZnO溶胶作为表面配体，得到无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点。

2.根据权利要求1所述的一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法，其特征在于：该制备方法具体步骤为：

(1)制备CdSe/CdS核壳量子点：将CdSe核量子点提纯后与油胺和十八烷加入三口烧瓶，在氩气保护下，加热到反应温度，利用连续离子层吸附与反应法交替注入Cd前驱体和S前驱体，通过控制前驱体的注入量得到壳层厚度为5-20个CdS单分子层的CdSe/CdS核壳量子点，离心提纯后分散于甲苯溶液中；

(2)提纯制备好的CdSe/CdS核壳量子点：将步骤(1)所得的CdSe/CdS核壳量子点溶液中的甲苯溶剂挥发干净，利用正丁醚对量子点进行提纯，去除CdSe/CdS核壳量子点表面过多的有机长碳链配体，再将去除有机长碳链配体的CdSe/CdS核壳量子点溶液中的正丁醚溶剂挥发干净，加入氯仿充分分散CdSe/CdS核壳量子点；

(3)利用乙醇胺对提纯后的CdSe/CdS核壳量子点进行表面改性：将步骤(2)所得的量子点溶液移入取样瓶，加入乙醇胺，在16-28℃的室温环境下搅拌23-25小时后得到乙醇胺表面改性的量子点样品；

(4)无机溶胶配体修饰：首先利用化学还原法制备无机ZnO溶胶溶液，然后用无机ZnO溶胶溶液对经步骤(3)所得的量子点样品实施无机配体修饰，边滴加ZnO溶胶溶液边摇晃使量子点溶液澄清透明，即得到无机溶胶配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点。

3.根据权利要求2所述的一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)CdSe核量子点的制备：用CdO和油酸制备油酸镉作为Cd前驱体，在制备好的油酸镉中加入Se前驱体，制备CdSe核量子点。

4.根据权利要求3所述的一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)具体的制备CdSe/CdS核壳量子点：将CdSe核量子点提纯后与油胺和十八烷加入三口烧瓶，在氩气保护下，将反应温度升至230-250℃，利用连续离子层吸附与反应法交替注入Cd前驱体和S前驱体，每次注入后的生长时间为18-22分钟；通过控制前驱体的注入量可得到壳层厚度为5-20个CdS单分子层的CdSe/CdS核壳量子点，离心提纯后分散于甲苯溶液中。

5.根据权利要求2所述的一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)CdSe/CdS核壳量子点的提纯：在甲苯溶剂挥发干净后的CdSe/CdS核壳量子点中加入正丁醚，在50-60℃水浴锅中加热5-20分钟后，将样品放置冰箱冷藏室5-10分钟，离心去除絮状沉淀，去除量子点表面过多的有机配体。

6.根据权利要求2所述的一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中利用化学还原法制备无机ZnO溶胶溶液具体方法为：将乙醇胺和甲醇加入三口烧瓶，16-28℃的室温下磁力搅拌27-35分钟，紧接着加入醋酸锌，在50-70℃水浴条件下搅拌1.8-2.2小时，熟化23-25小时后得到无机ZnO溶胶溶液。