[发明专利]可编程多模输出的带隙基准源有效

专利信息
申请号: 202110639206.9 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN113342118B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 冯浪;岑远军;齐旭;牛义;廖志凯;徐凯;林亚立 申请(专利权)人: 成都华微电子科技股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 可编程 输出 基准
【权利要求书】:

1.可编程多模输出的带隙基准源,包括MOS管、多级运算放大器、第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第四电阻(R4)、参考电阻(R4')和第三电阻(R3),其特征在于,

MOS管的电流输出端通过可调电阻串连接带隙基准源的输出端,MOS管的电流输出端还通过第五电阻接第一参考点,第一参考点通过第四电阻(R4)接第二参考点,第二参考点通过串联的第三电阻(R3)和第一电阻(R1)连接第一晶体管的发射极,第一晶体管的集电极和基极接地,第三电阻(R3)与第一电阻(R1)的连接点还通过第二电阻(R2)接地,MOS管的电流输出端和第二参考点之间设置有一个电容;

第一参考点通过参考电阻(R4')连接第二晶体管(Q2)的发射极,第二晶体管(Q2)的集电极和基极接地;

所述MOS管为PMOS管,源极作为电流输入端接电源,漏极作为电流输出端;多级运算放大器的负性输入端接第二晶体管(Q2)的发射极,正性输入端接第二参考点,输出端接MOS管的栅极;

或者,所述MOS管为NMOS管,漏极作为电流输入端接电源,源极作为电流输出端;多级运算放大器的正性输入端接第二晶体管(Q2)的发射极,负性输入端接第二参考点,输出端接MOS管的栅极。

2.如权利要求1所述的可编程多模输出的带隙基准源,其特征在于,

所述第二电阻(R2)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)和参考电阻皆为可调电阻。

3.如权利要求1所述的可编程多模输出的带隙基准源,其特征在于,所述可调电阻串包括由串联于MOS管的电流输出端和地电平端之间的至少3个电阻形成的电阻串,电阻串通过一个开关接地,电阻串中相邻两个电阻的连接点各通过一个开关连接带隙基准源的输出端,MOS管的电流输出端通过两个并联的开关连接带隙基准源的输出端。

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