[发明专利]晶粒针刺脱膜方法有效
申请号: | 202110639495.2 | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN113380674B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 林政丰 | 申请(专利权)人: | 深圳新连芯智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 针刺 方法 | ||
1.晶粒针刺脱膜方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1,将带有矩阵式分布晶粒的晶环薄膜上料固定于控制机构上;
步骤S2,视觉系统自动对整张晶环薄膜进行预扫描,识别出全部晶粒位置并建立一坐标系,赋予每一个晶粒一专属坐标点;
步骤S3,完成预扫描后,控制机构按照梅花形轨迹调整晶环薄膜,保证顶针能够精准对上晶粒进行针刺挑选脱膜;
所述梅花形轨迹为在矩阵式分布晶粒的每一行和每一列均采用间隔式挑选的轨迹。
2.如权利要求1所述的晶粒针刺脱膜方法,其特征在于,所述控制机构包括角度调整装置和自动扩膜与膜量张力控制装置,所述角度调整装置包括滚动轴承内环固定片和扩膜环,所述扩膜环固定于滚动轴承内环固定片上端,所述自动扩膜与膜量张力控制装置固定于扩膜环上端外侧;
所述自动扩膜与膜量张力控制装置包括一扩膜升降平台,所述扩膜升降平台位于扩膜环上方,扩膜升降平台上端固定有盖板,扩膜升降平台与盖板之间固定有贴有晶环薄膜的支架。
3.如权利要求2所述的晶粒针刺脱膜方法,其特征在于,所述角度调整装置包括一第一基板,所述滚动轴承内环固定片轴接于第一基板上,滚动轴承内环固定片可在第一基板上转动。
4.如权利要求3所述的晶粒针刺脱膜方法,其特征在于,所述第一基板的一端固定有驱动电机,驱动电机的输出端连接有一主动轮,驱动电机驱动主动轮转动;所述主动轮的一侧设置有第一从动轮,第一从动轮的一侧设置有第二从动轮,所述主动轮、第一从动轮、第二从动轮的外围绕有传动带,传动带的两端固定于滚动轴承内环固定片外围。
5.如权利要求4所述的晶粒针刺脱膜方法,其特征在于,所述第一基板上开设有一调节槽,所述调节槽内通过螺丝固定有从动轮调节块,所述第二从动轮轴接于从动轮调节块上。
6.如权利要求2所述的晶粒针刺脱膜方法,其特征在于,所述自动扩膜与膜量张力控制装置包括第二基板,所述第二基板开设有第一圆形开口,所述扩膜环上端设置一圈限位凸起,所述限位凸起穿过第一圆形开口,第二基板固定于扩膜环外围。
7.如权利要求6所述的晶粒针刺脱膜方法,其特征在于,所述第二基板的对称两边分别固定有两驱动气缸,所述扩膜升降平台的底部连接于两驱动气缸的伸缩杆,驱动气缸驱动扩膜升降平台升降。
8.如权利要求6所述的晶粒针刺脱膜方法,其特征在于,所述扩膜升降平台与第二基板之间还设置有多个缓冲装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造