[发明专利]显示面板、数据处理器及显示面板的制造方法在审
申请号: | 202110639939.2 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN113419386A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;楠纮慈;平形吉晴 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 程晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 数据 处理器 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,包括像素,所述像素包括:
第一晶体管;
第一显示元件;
第二晶体管;
第二显示元件;
第三晶体管;
第一布线,电连接到所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个和所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个;
第二布线,电连接到所述第一晶体管的栅极;
第三布线,电连接到所述第二晶体管的栅极;
第四布线,电连接到所述第三晶体管的源电极和漏电极中的一个;
第五布线,电连接到所述第一显示元件的第一电极;以及
第六布线,电连接到所述第二显示元件的第一电极,
其中,所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第一显示元件的第二电极,
其中,所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第三晶体管的栅极,并且
其中,所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第二显示元件的第二电极。
2.一种半导体装置,包括像素,所述像素包括:
第一晶体管;
第一显示元件;
第二晶体管;
第二显示元件;
第三晶体管;
第一布线,电连接到所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个和所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个;
第二布线,电连接到所述第一晶体管的栅极;
第三布线,电连接到所述第二晶体管的栅极;
第四布线,电连接到所述第三晶体管的源电极和漏电极中的一个;
第五布线,电连接到所述第一显示元件的第一电极;以及
第六布线,电连接到所述第二显示元件的第一电极,
其中,所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第一显示元件的第二电极,
其中,所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第三晶体管的栅极,
其中,所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第二显示元件的第二电极,
其中,所述第一显示元件是液晶元件,并且
其中,所述第一显示元件是发光元件。
3.一种半导体装置,包括像素,所述像素包括:
第一晶体管;
第一显示元件;
第一电容器;
第二晶体管;
第二显示元件;
第二电容器;
第三晶体管;
第一布线,电连接到所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个和所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个;
第二布线,电连接到所述第一晶体管的栅极;
第三布线,电连接到所述第二晶体管的栅极;
第四布线,电连接到所述第三晶体管的源电极和漏电极中的一个;
第五布线,电连接到所述第一显示元件的第一电极;以及
第六布线,电连接到所述第二显示元件的第一电极,
其中,所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第一显示元件的第二电极,
其中,所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第三晶体管的栅极,并且
其中,所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第二显示元件的第二电极。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,
其中,所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第一电容器的第一电极,
其中,所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述第二电容器的第一电极,
其中,所述第一显示元件的所述第二电极电连接到所述第一电容器的第二电极,并且
其中,所述第二电容器的所述第一电极电连接到所述第二电容器的第二电极。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,所述第一显示元件具有与所述第二显示元件重叠的区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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