[发明专利]一种聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜及其制备方法与发光器件

权利要求书

1.一种聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜，其特征在于，包括准二维钙钛矿和聚环氧乙烷；所述准二维钙钛矿的分子式为L₂FA_xPb₃Br₁₀，所述的L为正一价有机铵离子，所述的x＝2～3。

2.根据权利要求1所述的聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜，其特征在于，所述正一价有机铵离子为PPA⁺，PEA⁺，PBA⁺，i-BA⁺中的一种或多种；所述薄膜厚度为100-200nm。

3.权利要求1-2任一项所述的聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将LBr、FABr和PbBr₂溶于溶剂中得钙钛矿溶液，再加入聚环氧乙烷溶液，旋涂成膜、退火，得聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述LBr:FABr:PbBr₂的摩尔比为(1～2):(2～3):3；所述钙钛矿溶液中PPABr、FABr和PbBr₂的总含量为3-10wt.％；所述溶剂为无水N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述聚环氧乙烷溶液的浓度为5-10mg/ml；所述钙钛矿溶液和聚环氧乙烷溶液的体积比为1:(0.1～0.6)；所述聚环氧乙烷溶液的溶剂为无水N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂的速度为4000-7000rpm/min，旋涂时间为40-80s；所述退火在保护气氛下进行，退火的时间为30-60min，退火的温度为70-90℃。

7.基于权利要求1-2任一项所述聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜的发光器件，其特征在于，所述发光器件自下而上包括阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层与阴极；所述发光层为所述聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述阳极为金属或金属氧化物；所述的空穴注入层为PEDOT:PSS、PVK、TPD或TFB；所述电子传输层材料为TPBi、BCP、PCBM中的任意一种；所述电子注入层材料为LiF；所述电子传输层的厚度为20-50nm，电子注入层的厚度为0.5-1nm。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述金属氧化物为氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡。

10.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述阴极为金属、金属合金或金属氧化物；所述阴极的厚度为80-150nm；所述阴极的加工方法包括电极蒸镀、溶液加工、喷墨打印。