[发明专利]一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法在审
| 申请号： | 202110640957.2 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113410142A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 翟继鑫 | 申请（专利权）人： | 无锡市芯飞通光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙) 32385 | 代理人： | 邵永永 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无源 光通信 芯片 包层 凝胶 制备 方法 | ||
1.一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
步骤1：制备凝胶液；
步骤2：凝胶旋涂：使用涂胶机在石英晶园上旋涂，温度为22℃，相对湿度为45±5℃，旋涂时间共30s；
步骤3.：膜层坚膜：烘烤2小时，然后退火1小时，完成坚膜。
2.根据权利要求1所述的一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，步骤1中制备凝胶液的具体步骤如下：
S1：将TEOS、MTES、H2O和C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；
S2：然后加入氨水和HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入HMDS，常温搅拌3小时，陈化一周，得到凝胶液。
3.根据权利要求2所述的一种无源通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，所述SiO2和HPCD的质量比为(0.1－1)：1。
4.根据权利要求2所述的一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，所述SiO2和HMDS的质量比为1：2。
5.根据权利要求1所述的一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，步骤3中，烘烤的温度为100℃。
6.根据权利要求1所述的一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，步骤3中，退火的温度为420℃。
7.根据权利要求1所述的一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，步骤2中，前10s，涂胶机转速为2000rpm，后20s，涂胶机转速为5000rpm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
