[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110641273.4 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113380894A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管器件，包括：
栅极结构，具有栅极层和铁电层；
源极端子和漏极端子，安置在所述栅极结构的相对侧处；以及
结晶沟道部分，在所述源极端子与所述漏极端子之间延伸，其中所述源极端子和所述漏极端子安置在所述结晶沟道部分上且所述栅极结构安置在所述结晶沟道部分上；
其中所述结晶沟道部分包含含有第III族元素和第V族元素的第一材料，所述栅极层包含含有第III族元素和稀土元素的第二材料，且所述铁电层包含含有第III族元素、稀土元素以及第V族元素的第三材料。
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