[发明专利]显示面板制造方法、显示面板及显示设备在审
申请号: | 202110641575.1 | 申请日: | 2021-06-09 |
公开(公告)号: | CN113380929A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 田文亚;董小彪;高文龙 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L27/15 |
代理公司: | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 陈万艺 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 设备 | ||
1.一种显示面板制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在第一衬底上形成层叠设置的多个无机发光层,相邻的所述无机发光层之间包括绝缘连接材料层;
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧开设多组电极开口,每组电极开口包括用于暴露相同的无机发光层的多个电极开口;每个所述电极开口对应一个子像素;
在各所述电极开口处形成接触电极;
将所述接触电极与驱动阵列基板上的驱动电极键合;
从所述第一衬底远离所述驱动阵列基板的一侧开设多组像素开口,每组像素开口包括用于暴露相同的无机发光层的多个像素开口,每个所述像素开口对应一个子像素。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在第一衬底上形成层叠设置的多个无机发光层的步骤,包括:
在第一衬底上形成第一发光层,在第二衬底上形成第二发光层,在第三衬底上形成第三发光层;
通过第一绝缘连接材料层将所述第一发光层远离所述第一衬底的一面和第二发光层远离所述第二衬底的一面键合;
剥离所述第二衬底;
通过第二绝缘连接材料层将所述第二发光层远离所述第一发光层的一面和第三发光层远离所述第三衬底的一面键合;
剥离所述第三衬底。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个所述无机发光层包括从靠近所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的一侧依次层叠的第一半导体层、多量子阱层、以及第二半导体层,每个所述电极开口包括暴露出所述第一半导体层的第一区域和暴露出所述第二半导体层的第二区域;所述在各所述电极开口处形成接触电极,包括:
在每个所述电极开口的第一区域处形成与所述第一半导体层电性接触的第一子电极,以及在每个所述电极开口的第二区域处形成与所述第二半导体层电性接触的第二子电极。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述多个无机发光层包括从靠近所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的一侧依次层叠设置的第一发光层、第二发光层、以及第三发光层;所述多组电极开口包括分别与多个第一颜色的子像素对应的多个第一电极开口、分别与多个第二颜色的子像素对应的多个第二电极开口、以及分别与多个第三颜色的子像素对应的多个第三电极开口;所述从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧开设多组电极开口的步骤,包括:
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第一电极开口的位置进行刻蚀,以暴露出所述第一发光层的第二半导体层;
对所述第一发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀,以在刻蚀位置形成暴露出所述第一发光层的第一半导体层的第一区域,在未刻蚀位置形成暴露出所述第一发光层的第二半导体层的第二区域;
从所述多个无机发光层远离所述第一衬底的一侧且用于形成所述第二电极开口的位置进行刻蚀,以暴露出所述第二发光层的第二半导体层;
对所述第二发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀,以在刻蚀位置形成暴露出所述第二发光层的第一半导体层的第一区域,在未刻蚀位置形成暴露出所述第二发光层的第二半导体层的第二区域;
对所述第三发光层暴露出的第二半导体层进行部分刻蚀,以在刻蚀位置形成暴露出所述第三发光层的第一半导体层的第一区域,在未刻蚀位置形成暴露出所述第三发光层的第二半导体层的第二区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都辰显光电有限公司,未经成都辰显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110641575.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。