[发明专利]半导体结构

说明书

本发明是关于半导体结构，其包含：基板、磊晶层、埋置层、源极区及汲极区、漂移区、闸极结构、第一隔离结构以及高压井区；基板具有第一导电型态；磊晶层具有不同于第一导电型态的第二导电型态且设置于基板上。埋置层具有第二导电型态且设置于基板；源极区及汲极区分别具有第一导电型态且分别设置于磊晶层中；漂移区具有第一导电型态且设置于磊晶层中，位于源极区及汲极区之间，且与汲极区电性连接。闸极结构设置于源极区及漂移区上。第一隔离结构设置于漂移区与汲极区之间；高压井区具有第一导电型态，设置于磊晶层中，且与埋置层及第一隔离结构接触。本发明能避免半导体结构中的基板漏电流的产生，从而获得具有更优良的电性特征。

技术领域

本发明是关于半导体结构，特别是关于能够减少基板漏电流的半导体结构。

背景技术

一般而言，高压集成电路(high voltage integrated circuit，HVIC)能用于驱动诸如金氧半场效晶体管(MOSFET)、绝缘闸极双极性晶体管(IGBT)等大电流组件。由于HVIC具有符合成本效益且容易与其他工艺兼容的优点，因此HVIC经常被应用在电源控制系统中。

HVIC包含高端(high side)部分与低端部分(low side)，并通过位准移位器(level shifter)连接高端部分与低端部分。其中，诸如N型位准移位器的提升型位准移位器用于将位准提高(level up)，也就是从低端部分至高端部分，而诸如P型位准移位器的降低型位准移位器则用于将位准降低(level down)，也就是从高端部分到低端部分。但由于P型位准移位器需要在高电压甚至是超高电压(UHV)环境下操作，因此需要在维持高击穿电压(breakdown voltage)的情况下，同时避免产生基板漏电流(substrate leakagecurrent)。此外，因为P型位准移位器能感测高端部分的异常信号，并将异常信号传至信号检测电路中，因此若存在基板漏电流，则会影响P型位准移位器的感测能力。

是以，现存的半导体结构虽已逐步满足它们既定的用途，但它们仍未在各方面皆彻底的符合要求。因此，关于进一步加工后可做为位准移位器的半导体结构仍有一些问题需要克服。

发明内容

鉴于上述问题，本发明通过设置高压井区及埋置层于磊晶层中，来形成包含经串联的两个PNP结构而不易导通的PNPNP结构，并通过设置导电层来连接漂移区与汲极区而使半导体结构导通，来避免半导体结构中的基板漏电流的产生，进而获得具有更优良的电性特征的半导体结构。

根据一些实施例，提供半导体结构。半导体结构包含：基板、磊晶层、埋置层、源极区及汲极区、漂移区、闸极结构、第一隔离结构以及高压井区。基板具有第一导电型态。磊晶层具有不同于第一导电型态的第二导电型态且设置于基板上。埋置层具有第二导电型态且设置于基板。源极区及汲极区分别具有第一导电型态且分别设置于磊晶层中。漂移区具有第一导电型态且设置于磊晶层中，位于源极区及汲极区之间，且与汲极区电性连接。闸极结构设置于源极区及漂移区上。第一隔离结构设置于漂移区与汲极区之间。高压井区具有第一导电型态，设置于磊晶层中，且与埋置层及第一隔离结构接触。

本发明揭露的半导体结构可应用于多种型态的半导体装置，为让本发明揭露的特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

通过以下的详述配合所附附图，我们能更加理解本发明揭露实施例的观点。值得注意的是，根据工业上的标准惯例，一些部件(feature)可能没有按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，不同部件的尺寸可能被增加或减少。

图1至图11是根据本发明揭露的一些实施例，分别绘示在各个阶段形成的半导体结构的剖面示意图；

图12是根据本发明揭露的一些实施例的半导体结构的剖面示意图；

图13是根据本发明揭露的一些实施例的高压集成电路(high voltageintegratedcircuit，HVIC)的方块图；以及