[发明专利]一种倒装发光二极管

权利要求书

1.一种倒装发光二极管，其结构自下而上包含：

透明衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第三半导体层；

蚀刻第三半导体层、第二半导体层和发光层形成相互独立的三个区域；

蚀刻去除第一区域的第三半导体层，第二半导体层和发光层，露出第一半导体层；

蚀刻去除第二区域的第三半导体层，露出第二半导体层；

蚀刻去除第三区域的部分第三半导体层，露出部分第二半导体层；

在所述第一区域的第一半导体层表面设置第一接触电极、第二区域的第二半导体层表面设置第二接触电极、第三区域的第三半导体层和第二半导体层表面分别设置第三接触电极和第四接触电极；

所述第四接触电极同时通过侧壁连接第三区域的第一半导体层；

在上述结构表面沉积绝缘保护层，并在对应第一、第二、第三接触电极上方形成通孔；

在绝缘保护层表面设置第一、第二金属焊接层，其中第一金属焊接层通过通孔与第一接触电极电连接，第二金属焊接层通过通孔与第二、第三接触电极电连接。

2.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述第三区域的第二半导体层和第三半导体层之间还有阻挡层。

3.根据权利要求2所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述第一半导体层和第三半导体层为第一导电类型的半导体层，所述第二半导体层和阻挡层为第二导电类型的半导体层，所述第一导电类型和第二导电类型为相反电性的。

4.根据权利要求3所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述第一导电类型的半导体层为n型或者p型的。

5.根据权利要求2所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述阻挡层与第二半导体层之间还具有一接触层，其具有与第二半导体层相同的导电类型，与所述第二接触电极、第四接触电极形成欧姆接触。

6.根据权利要求2所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述第三半导体层、阻挡层通过MOCVD等外延技术生长形成。

7.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述第三半导体层通过扩散掺杂技术形成于所述第二区域的第二半导体层表面。

8.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述绝缘保护层为单层或多层结构，其材料为SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、TiO₂、MgF₂等材料的一种或多种的组合。

9.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述绝缘保护层为DBR结构，由高低折射率透明介电层交替堆叠而成，其中低折射率材料为SiO₂、MgF₂或者Al₂O₃；高折射率材料为TiO₂或者Ta₂O₅。

10.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于：所述倒装发光二极管辐射红光。