[发明专利]带接反保护的开路检测电路

说明书

本发明提供了一种带接反保护的开路检测压电路，包括防接反PMOS管、耗尽型NMOS管、负压产生电路；低导通电压PMOS管产生耗尽型NMOS管漏端电压V_D，用来控制电路整体的通断；耗尽型NMOS管产生源端电压V_S经负载调整输出电压；负压产生电路产生耗尽型NMOS管栅端电压V_G控制耗尽型NMOS管的导通与截止。本发明采用低导通电压PMOS管，适用于输入电压较低的场合。采用了低导通电压PMOS管，避免了因开路检测电路模块电源反接电流过大而出现芯片烧毁。采用了耗尽型NMOS管，解决芯片在RL为5kΩ～500kΩ范围内，GND开路后V_OUT输出电压值小于4.75V的问题。

技术领域

本发明涉及电路技术领域，具体地，涉及一种带接反保护的开路检测电路。

背景技术

开路检测电路是模拟集成电路中一个十分重要的子模块，被广泛应用于高精度AD/DA转换器、电源管理芯片、传感器等集成电路中。该类芯片在实际工作中，需要对其负载状态进行实时监控，当负载发生开路故障时，开关检测电路需要及时向系统发出预警信号.针对负载当前的状态进行开路检测，并避免芯片由于开路被损坏。

当外部输入出现反接情况时，开路检测电路模块可能会出现反接电流过大的情况，引起芯片的损坏，需要加入接反保护电路模块，参照图1，传统接反保护电路使用一个二极管来实现单向导电，但此种电路需要考虑二极管的反向耐压值和正向电流值。这些因素都限制了传统开路检测电路在各种场合中的应用。另一方面，参照图2，传统的开路检测电路的基本原理是，通过检测开关导通期间负载的状态来判断是否出现开路，常用方法是测量开关中的负载电流.另外一种测量负载电流的方法是采用一个与主功率开关管成比例的感应MOS管，将负载电流按设定好的比例镜像后进行检测，这种方法虽然不会给负载支路带来额外的电压降，但是对于很小的负载电流，镜像复制的精度会大大下降，产生的误差可能会很大，从而降低负载开路检测电路的可靠性。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种带接反保护的开路检测电路。

根据本发明提供的一种带接反保护的开路检测电路，包括防接反PMOS管、耗尽型NMOS管以及负压产生电路，其中：

所述防接反PMOS的输入为外部输入电压V_IN，并输出电压信号V_D至耗尽型NMOS管；

所述耗尽型NMOS管的输入为负压产生电路输出电压V_G，输出信号V_S经调节输出电压V_OUT；

所述负压产生电路的输入电压信号E_N为使能信号，负压产生电路的输出电压V_G控制耗尽型NMOS管通断。

优选地，所述防接反PMOS管包括低导通电压PMOS管PM1，其中：

所述低导通电压PMOS管PM1的栅极与源极与耗尽型NMOS管连接，漏极与外部输入电压V_IN连接。

优选地，所述耗尽型NMOS管包括NMOS管NM1、电阻R1以及电阻R2，其中：

所述NMOS管NM1的栅极连接电阻R1的一端，NMOS管NM1的漏极连接电阻R1的另一端、第一NMOS管NM1的栅极和漏极，NMOS管NM1的源极连接电阻R2的一端。

优选地，所述PMOS管PM1的栅极、源极与耗尽型NMOS管的漏极相连构成二极管结构。

优选地，出现反接情况时，PMOS管PM1栅极、源极短接使其源漏端电压大于0时，检测电路处于截止状态；

未出现反接情况时，PMOS管PM1源漏端电压小于0并且其绝对值大于PM1体二极管正向导通压降时，体二极管导通。