[发明专利]无掩模光刻方法和无掩模光刻设备

说明书

本发明属于光刻技术领域，尤其涉及一种无掩模光刻方法和无掩模光刻设备，所述方法包括以下步骤：S1：获取目标物的待曝光区域；S2：根据所述待曝光区域产生焦点控制信号，所述焦点控制信号用于控制曝光光束聚焦的焦点的移动轨迹；S3：根据所述焦点控制信号控制曝光光束聚焦的焦点在所述目标物的表面移动以使所述待曝光区域曝光。所述设备包括光源，控制器和焦点移动装置。本发明的无掩模光刻方法和设备不需要使用掩模版，因此节约了制作掩模版的时间和成本。

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，尤其涉及一种无掩模光刻方法无掩模光刻设备。

背景技术

目前的光刻工艺是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线(一般是紫外光、深紫外光、极紫外光)透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射或者未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移。光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，最后洗去剩余光刻胶，就实现了半导体器件在硅片表面的构建过程。

但是目前的光刻工艺需要制作与曝光图案相对应的掩模，而掩模的制造过程复杂、成本高，如果曝光图案变化则要重新制作掩模，造成光刻工艺灵活性差。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种无掩模光刻方法无掩模光刻设备，用以解决现有的光刻技术由于制作掩模而造成的工艺复杂，成本高的技术问题。

本发明采用的技术方案是：

第一方面，本发明提供了一种无掩模光刻方法，所述方法包括以下步骤：

S1：获取目标物的待曝光区域；

S2：根据所述待曝光区域产生焦点控制信号，所述焦点控制信号用于控制曝光光束聚焦的焦点的移动轨迹；

S3：根据所述焦点控制信号控制曝光光束聚焦的焦点在所述目标物的表面移动以使所述待曝光区域曝光。

优选地，所述S2：根据所述待曝光区域产生焦点控制信号，所述焦点控制信号用于控制曝光光束聚焦的焦点的移动轨迹，还包括以下步骤：

S21：根据所述待曝光区域确定所述焦点在所述目标物的表面移动的轨迹；

S22：根据所述焦点在所述目标物的表面移动的轨迹确定用于驱动液晶透镜的驱动电压信号；

所述S3：根据所述焦点控制信号控制曝光光束聚焦的焦点在所述目标物的表面移动以使所述待曝光区域曝光中包括：

S301：通过所述驱动液晶透镜的驱动电压信号控制液晶透镜的焦点在所述目标物的表面沿所述轨迹移动以使所述待曝光区域曝光。

优选地，所述S2：根据所述待曝光区域产生焦点控制信号；还包括以下步骤：

S201：根据所述曝光区域确定所述焦点在所述目标物的表面移动的轨迹；

S202：根据所述焦点在所述目标物的表面移动的轨迹确定加载于空间光调制器的相息图。

所述S3：根据所述焦点控制信号控制曝光光束聚焦的焦点在所述目标物的表面移动以使所述待曝光区域曝光中包括：

S302：通过所述相息图控制曝光光束经过空间光调制器聚焦的焦点在所述目标物的表面沿所述轨迹移动以使所述待曝光区域曝光。

优选地，所述S3：根据所述焦点控制信号控制曝光光束聚焦的焦点包括：

S31：根据所述曝光区域判断所述曝光区域是否存在不连续的区域；

S32：若是则根据所述轨迹判断所述焦点是否将经过相邻曝光区域之间的非曝光区域；