[发明专利]三方相HgS非线性光学晶体的制备方法及其应用在审
申请号: | 202110645842.2 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN113355747A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 郭胜平;严梅;唐如玲 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | C30B29/46 | 分类号: | C30B29/46;C30B7/10;G02F1/355 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三方相 hgs 非线性 光学 晶体 制备 方法 及其 应用 | ||
1.三方相HgS非线性光学晶体的制备方法,其特征在于将Na2S·9H2O和HgCl2与去离子水混合进行水热反应,待反应结束后过滤取得固相,经干燥,得三方相HgS非线性光学晶体。
2.根据权利要求1所述三方相HgS非线性光学晶体的制备方法,其特征在于所述Na2S·9H2O和HgCl2的投料摩尔比为4∶1。
3.根据权利要求1或2所述三方相HgS非线性光学晶体的制备方法,其特征在于将Na2S·9H2O和HgCl2与去离子水混合后置于反应釜中,再将反应釜置入烘箱,以1.6 ℃/min的速率升温至200 ℃, 恒温3天,再以1.6 ℃/h 的速率降温至40 ℃后取出反应釜,过滤反应物,取得固相。
4.如权利要求1所述方法制备的三方相HgS非线性光学晶体,用于红外波段的倍频晶体。
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