[发明专利]一种判断三维导体尖端附近介质是否被击穿的方法有效

专利信息
申请号: 202110646417.5 申请日: 2021-06-10
公开(公告)号: CN115455631B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 施伟辰;侯丹;顾邦平;张奇;吴姜玮 申请(专利权)人: 上海海事大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F17/16
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 孟旭彤
地址: 201306 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 判断 三维 导体 尖端 附近 介质 是否 击穿 方法
【权利要求书】:

1.一种判断三维导体尖端附近介质是否被击穿的方法,其特征在于,计算电场强度因子K的守恒积分;

通过实验测试得到三维导体尖端附近介质被击穿的临界阈值Kc;

比较K与Kc的数值大小;

若K大于Kc,则介质被击穿;若K小于或等于Kc,则介质未被击穿;

其中,在三维导体尖端附近,沿着与锥形导体表面有相贯线且包围了锥形导体尖端的任意形状的曲面S积分,计算得到恒定物理量电场强度因子K,

所述的电场强度因子K的表达式为:

其中,积分曲面S是和三维导体表面有相贯线且包围了三维导体尖端的任意形状曲面,

参数θ的定义为球坐标下由原点出发指向远处任一点的矢量与直角坐标系的z轴所夹的天顶角,

n=(nx,ny,nz)是与积分曲面S垂直的单位外法线向量;

dS是在积分曲面S上积分的微元,

参数ν0的定义为

θ0是球坐标系中由原点出发沿着导体圆锥面母线指向远处的天顶角,

α是导体圆锥面顶角的一半,

矢量P的定义为

其中,Φ是电势函数,

(Ex,Ey,Ez)是三个相互垂直的电场分量,

f是解析函数,表示为

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