[发明专利]一种数据存储介质、数据读取装置及数据读取和存储方法

说明书

本申请实施例提供了一种数据存储介质、数据读取装置及数据读取和存储方法，涉及数据存储技术领域。该数据存储介质包括：衬底层，设置在衬底层上的导电层和设置在导电层上的记录层；其中，记录层包括n个数据记录单元，每个数据记录单元均包括第一材料和/或第二材料，第一材料的介电常数小于第二材料的介电常数，n≥2。由此，通过包含一种或多种材料的数据记录单元记录数据，由于材料的保存时间较长，因此可以提升数据的保存期限，可靠性较好。此外，由于不需要在衬底层上制做半导体器件，所以不需要芯片级纯度，降低了存储成本。

技术领域

本申请涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种数据存储介质、数据读取装置及数据读取和存储方法。

背景技术

随着社交网络平台的发展和移动媒体设备的广泛应用，大数据中心出现了很多访问频次较低的数据(即冷数据)，且这些数据均会被存储。虽然冷数据被访问的频次较低，但也不能将这些数据删除，即对冷数据有存储需求。

相关技术中，通常采用半导体存储(如固态硬盘)、磁存储和光存储等。但这些存储方式对应的存储介质的保存时间均较短(约5～10年)，且存储成本均较高，可靠性也较差。

发明内容

为了实现上述的技术目的，本申请提供了一种数据存储介质、数据读取装置及数据读取和存储方法。

第一方面，本申请实施例提供了一种数据存储介质，包括：衬底层，设置在衬底层上的导电层和设置在导电层上的记录层；其中，记录层包括n个数据记录单元，每个数据记录单元均包括第一材料和/或第二材料，第一材料的介电常数小于第二材料的介电常数，n≥2。、

由此，可以通过包含一种或多种材料的数据记录单元记录数据，由于材料的保存时间较长，因此可以提升数据的保存期限，可靠性较好。此外，由于不需要在衬底层上制做半导体器件，所以不需要芯片级纯度，降低了存储成本。

在一种可能的实现方式中，数据存储介质中还可以包括：粘结层。该粘结层设置于衬底层和导电层之间。由此通过粘结层使得导电层可以稳定的固定在衬底层上，增加了导电层的附着力和稳定性。

在一种可能的实现方式中，n个数据记录单元中包括第一数据记录单元和第二数据记录单元，其中，第一数据记录单元和第二数据记录单元相邻，第一数据记录单元所包含的材料不同于第二数据记录单元所包含的材料。由此避免读取数据过程中相邻数据记录单元的干扰，提升数据读取的可靠性。

在一种可能的实现方式中，n个数据记录单元中包括第三数据记录单元和第四数据记录单元，其中，第三数据记录单元和第四数据记录单元相邻，第三数据记录单元所包含的材料与第四数据记录单元所包含的材料相同，第三数据记录单元包括第一材料和第二材料；第三数据记录单元所包含的目标材料的体积与第四数据记录单元所包含的目标材料的体积不同，目标材料为第一材料或第二材料。

在一种可能的实现方式中，一个数据记录单元中的第一材料所占的空间的第一体积与第二材料所占的空间的第二体积相同或不同。

在一种可能的实现方式中，第一材料和第二材料均与导电层接触，且向导电层的上方延伸。

进一步地，第一材料可以设置于导电层上，第二材料可以设置于第一材料上。或者，第二材料可以设置于导电层上，第一材料可以设置于第二材料上。

在一种可能的实现方式中，数据存储介质中的衬底层可以为单晶硅晶圆。

在一种可能的实现方式中，数据存储介质中的导电层可以为金属，或者，导电层为N型或P型半导体。

在一种可能的实现方式中，数据存储介质中的数据记录单元在与衬底层的上表面平行的方向上的截面为规则图形或不规则图形。

进一步地，截面为规则图形，该规则图形可以为圆形，圆形的直径可以为10～80纳米。