[发明专利]一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110646627.4 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113564709B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李东升;尚华宝;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B1/02;C30B1/10;C09K11/79 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 高佳逸;胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 杂质 原子 掺杂 硅酸 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒的制备方法，其特征在于，包括步骤：将有机铒化合物、金属杂质原子的前驱体均匀分散于流动性硅烷树脂中，所得溶胶旋涂于单晶硅片表面，待溶剂挥发完毕，经热处理得到所述金属杂质原子掺杂的硅酸铒；
所述金属杂质原子掺杂的硅酸铒中，掺杂的金属离子的价态与Er3+不相同，且所述金属离子的半径比Er3+的半径小30％以上。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属杂质原子为Li、Be、Mg中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属杂质原子的前驱体为金属有机化合物。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的流动性硅烷树脂为含有氢倍半硅氧烷的硅酮树脂溶液。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂的条件为：5～20s加速至1000～10000rpm后维持10～100s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的气氛为N2、O2或Ar，温度为800～1300℃，时间为10min～10h。
7.根据权利要求1～6任一权利要求所述的制备方法制备得到的金属杂质原子掺杂的硅酸铒，其特征在于，所述金属杂质原子掺杂的硅酸铒镶嵌于结晶氧化硅基质中，晶型为β-Er2Si2O7。
8.根据权利要求7所述的金属杂质原子掺杂的硅酸铒，其特征在于，所述金属杂质原子掺杂的硅酸铒发光寿命为200～1000μs，发光强度相比不掺杂的硅酸铒提高1～100倍。
9.根据权利要求7或8所述的金属杂质原子掺杂的硅酸铒在薄膜光波导放大器中的应用。
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