[发明专利]一种半导体行业含钙污泥的处理方法

说明书

本发明公开了一种半导体行业含钙污泥的处理方法，包括以下步骤：S1、将含钙污泥粉碎成块状，再向块状的含钙污泥内加入稀盐酸，待反应完全无气泡产生后进行固液分离，得到溶液A和固体A；稀盐酸为块状的含钙污泥质量的4‑5倍；S2、在溶液A里缓慢加入浓度为98％的硫酸溶液，控制反应温度30℃‑50℃之间，得到溶液B和固体B，收集反应生成的盐酸气体；S3、向固体A中加入浓度为15％‑35％的氢氧化钠溶液，加热到50℃‑70℃，固液分离得到硅酸钠溶液和氟化钙固体；氢氧化钠溶液为固体A质量的2‑3倍；S4、向固体B中加入1％‑‑3％的转晶剂，生产成硫酸钙晶须；解决了现有技术处理含钙污泥后分离得到的氟化钙固体的纯度较低的问题。

技术领域

本发明属于固体废弃物资源化利用技术领域，具体涉及一种半导体行业含钙污泥的处理方法。

背景技术

半导体生产工艺复杂，其中的刻蚀工序使用氢氟酸、氟化铵导致产生大量的含氟废水。目前最实用的处理方法是加入氢氧化钙、氯化钙等，通过Ca²⁺和F^-反应生成CaF₂沉淀，再通过混凝沉剂共同作用从而达到去除氟离子、净化水质的目的，同时也产生了大量的含钙含氟污泥，其中含有氟化钙、氢氧化钙、碳酸钙、硅酸钙等钙盐，由于氟化钙污泥对环境危害大，目前大部分处理方式是用来制砖或作为水泥添加剂，但经过长期的积累，会对地表水、土壤、地下水造成二次污染，存在一定的社会安全隐患，基于以上原因，有效处理含钙污泥成为目前迫切解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体行业含钙污泥的处理方法，以解决现有技术处理含钙污泥后分离得到的氟化钙固体的纯度较低的问题。

本发明采用以下技术方案：一种半导体行业含钙污泥的处理方法，包括以下步骤：

S1、将含钙污泥粉碎成块状，再向块状的含钙污泥内加入稀盐酸，待反应完全无气泡产生后进行固液分离，得到溶液A和固体A；稀盐酸为块状的含钙污泥质量的4-5倍；

S2、在溶液A里缓慢加入浓度为98％的硫酸溶液，控制反应温度30℃-50℃之间，得到溶液B和固体B，收集反应生成的盐酸气体；

S3、向固体A中加入浓度为15％-35％的氢氧化钠溶液，加热到50℃-70℃，固液分离得到硅酸钠溶液和氟化钙固体；氢氧化钠溶液为固体A质量的2-3倍；

S4、向固体B中加入1％--3％的转晶剂，生产成硫酸钙晶须；

其中，溶液A为氯化钙溶液，固体A为氟化钙，溶液B为硫酸和盐酸的混合液，固体B为固体硫酸钙。

进一步的，稀盐酸浓度为3％-10％。

进一步的，含钙污泥粉碎成直径在1cm左右的块状，加入稀盐酸后搅拌反应2-3小时。

本发明的有益效果是：本发明提供一种半导体行业含钙污泥资源化利用的方法，将含钙污泥分成两部分：第一部分将氟化钙分离出来，提纯；第二部分添加转晶剂，将钙盐变成硫酸钙，最终得到了纯度高的硫酸钙晶须，可以继续使用；从而达到含钙污泥资源资源化利用的目的，解决了环保问题。

附图说明

图1为本发明一种半导体行业含钙污泥的处理方法的方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

本发明提供了一种半导体行业含钙污泥的处理方法，包括以下步骤：

S1、将含钙污泥通过破碎机粉碎成直径在1cm左右的块状，再向块状的含钙污泥内加入稀盐酸，并反应2-3小时；待反应完全无气泡产生后进行固液分离，得到溶液A和固体A；