[发明专利]利用聚合物沉积技术保护管芯隅角

说明书

本申请涉及通过使用聚合物沉积技术的管芯隅角保护。一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法包括在组件的第一表面上沉积第一涂层。组件包括具有多个半导体管芯以及第一表面和第二表面的管芯晶片。在相邻的半导体管芯之间移除管芯晶片的第一部分和第一涂层，以在管芯晶片中第一表面和第二表面之间形成具有中间深度的沟槽，使得管芯隅角形成在沟槽的任一侧上。在管芯组件的第一表面上沉积保护涂层，以覆盖管芯隅角、沟槽和第一涂层的至少一部分。选择性地移除第一涂层，使得保护涂层的覆盖管芯隅角和沟槽的部分保留在管芯晶片上。将相邻的半导体管芯彼此分离，并且使保护涂层保持覆盖管芯隅角。

技术领域

本技术涉及半导体制造。更具体地，本技术的一些实施例涉及用于在分离和其他制造工艺期间保护管芯的隅角、边缘和/或侧壁的技术。

背景技术

半导体管芯通常通过在具有一或多层的器件晶片上以栅格图案排列多个管芯来制造。然后将管芯相互分离。分离工艺可以通过例如等离子体切割、激光烧蚀或旋转刀片来完成。在分离工艺和其他制造步骤(诸如，器件晶片的背面研磨)期间，可能导致对管芯的损坏，诸如沿着管芯隅角和边缘的开裂，以及层的分层。管芯受到的物理损坏可降低其可靠性和良率。

发明内容

在一方面，本申请提供一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法，包括：在半导体管芯组件的第一表面上沉积第一涂层，该半导体管芯组件包括具有多个半导体管芯的管芯晶片，该管芯晶片具有第一表面和第二表面；移除第一涂层的一部分和管芯晶片的相邻的半导体管芯之间的第一部分，以在管芯晶片中第一表面和第二表面之间形成具有中间深度的沟槽，使得相邻的半导体管芯的管芯隅角形成在沟槽的任一侧上；在管芯组件的第一表面上沉积保护涂层，保护涂层覆盖管芯隅角、沟槽和第一涂层的至少一部分；选择性地移除第一涂层，使得保护涂层的覆盖管芯隅角和沟槽的部分保留在管芯晶片上；以及将相邻的半导体管芯彼此分离，使得保护涂层保持覆盖管芯隅角。

在另一方面，本申请提供一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法，包括：在包括具有多个半导体管芯的管芯晶片的半导体管芯组件的外表面之上施加掩模；移除管芯晶片的第一部分和掩模的相应部分，以形成延伸到管芯晶片内中间深度的沟槽和沟槽相对侧上的相邻的半导体管芯上的管芯隅角；移除管芯晶片的管芯隅角之间的第二部分，以在沟槽的宽度内形成具有侧壁的通道；在至少管芯隅角和侧壁之上沉积保护涂层；以及移除掩模和沉积在掩模之上的保护涂层。

在另一方面，本申请提供一种半导体管芯，包括：具有第一表面和第二表面的管芯晶片；管芯隅角，沿着管芯晶片的第一表面的外边缘形成；侧壁，从管芯晶片的第一表面延伸到第二表面；和保护涂层，粘附到管芯隅角。

附图说明

参考以下附图，可以更好地理解本技术的许多方面。附图中的部件不一定按比例绘制。相反，重点在于说明本技术的原理。

图1A是根据本技术的半导体管芯组件的两个相邻的管芯的剖视图，其中在分离之前保护涂层沉积在管芯的隅角上。

图1B是根据本技术分离的图1A的半导体管芯组件的两个相邻的管芯的剖视图。

图2A示出了根据本技术半导体管芯组件的两个相邻的管芯的另一剖视图，其中在分离之前保护涂层沉积在管芯的隅角和侧壁上。

图2B是根据本技术分离后图2A的管芯组件的两个相邻的管芯的剖视图。

图3A是根据本技术的半导体管芯组件的剖视图，示出了分离之前的两个半导体管芯。

图3B是根据本技术的在管芯晶片已经减薄之后图3A的半导体管芯组件的剖视图。

图3C是根据本技术的安装到器件晶片的图3B的半导体管芯组件的剖视图。

图3D是根据本技术的在施加第一涂层并在相邻的管芯之间形成沟槽之后，图3C的半导体管芯组件的剖视图。