[发明专利]离子检测器在审
申请号: | 202110647459.0 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN113808903A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 小林浩之;高塚清香 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01J43/04 | 分类号: | H01J43/04;H01J43/24;H01J49/02;H01J49/06 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 检测器 | ||
1.一种离子检测器,其中,
具备:
微通道板,其用于接受离子的入射而产生二次电子,将产生的所述二次电子倍增并输出;
多个电子冲击型二极管,其具有比所述微通道板的有效区域狭窄的有效区域,用于接受从所述微通道板输出的所述二次电子的入射,将入射的所述二次电子倍增且并且检测;
聚焦电极,其配置于所述微通道板与所述电子冲击型二极管之间,用于朝向所述电子冲击型二极管聚焦所述二次电子;以及
电压供给部,其向所述多个电子冲击型二极管的各个施加驱动电压,
所述电压供给部通过对所述多个电子冲击型二极管中的至少两个所述电子冲击型二极管的各个施加相互不同的值的驱动电压,来使彼此的增益不同。
2.根据权利要求1所述的离子检测器,其中,
所述多个电子冲击型二极管的各个的所述有效区域包含于所述聚焦电极的所述二次电子的聚焦范围。
3.根据权利要求1或2所述的离子检测器,其中,
从所述电子冲击型二极管的二次电子的入射方向观察,所述电子冲击型二极管包含所述有效区域和位于所述有效区域的周围的非有效区域,
从所述入射方向观察时,所述有效区域相对于所述非有效区域的中心至少偏向一个方向,
至少两个所述电子冲击型二极管以所述有效区域偏向侧相邻的方式进行配置。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的离子检测器,其中,
具备:掩模,其配置于所述聚焦电极与所述电子冲击型二极管之间,遮蔽入射于至少一个所述电子冲击型二极管的所述二次电子的一部分。
5.根据权利要求4所述的离子检测器,其中,
所述掩模形成于所述电子冲击型二极管的电子入射面。
6.根据权利要求4所述的离子检测器,其中,
所述掩模从所述电子冲击型二极管的电子入射面分开地配置。
7.根据权利要求6所述的离子检测器,其中,
具备:罩,其配置于所述聚焦电极与所述电子冲击型二极管之间,从所述电子冲击型二极管的二次电子的入射方向观察,形成有比所述多个电子冲击型二极管的有效区域宽的开口,
所述掩模设置于所述开口。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的离子检测器,其中,
所述电压供给部对至少两个所述电子冲击型二极管,以使增益相对高的所述电子冲击型二极管的检测范围与增益相对低的所述电子冲击型二极管的检测范围具有相互重复的重复范围的方式,施加所述驱动电压。
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