[发明专利]基于数控车床的纯铌超导腔表面铜铌改性层制备方法有效
申请号: | 202110647931.0 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN113355671B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 王小荣;杨自钦;何源;何鹏;詹文龙;王朝琴;罗冠炜 | 申请(专利权)人: | 兰州荣翔轨道交通科技有限公司;中国科学院近代物理研究所 |
主分类号: | C23C26/02 | 分类号: | C23C26/02;B23P15/00;B23K37/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 任文娟 |
地址: | 730070 甘肃省兰州市安宁区枣林*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 数控车床 超导 表面 改性 制备 方法 | ||
1.一种基于数控车床的单加速单元纯铌超导腔表面铜铌改性层制备方法,所述单加速单元纯铌超导腔表面包括依次相连且对称布置的椭球面(4)、斜面(3)、圆弧过渡面(2)和圆柱面(1),其特征在于,基于数控车床,利用电火花点焊式沉积方法在所述单加速单元纯铌超导腔表面制备铜铌改性层;
利用电火花点焊式沉积方法在所述单加速单元纯铌超导腔表面制备铜铌改性层包括如下具体步骤:
a将所述单加速单元纯铌超导腔夹持在数控车床上;
b将焊枪(5)夹持在焊枪夹持机构上,然后将所述焊枪夹持机构活动设置在所述数控车床的刀架上;
c将铜电极(6)夹持所述焊枪(5)上,所述焊枪(5)与电源正极相连,所述单加速单元纯铌超导腔与电源负极相连;
d打开电源,利用所述铜电极(6)在所述单加速单元纯铌超导腔表面电火花点焊式沉积制备铜铌改性层;
所述步骤d包括如下具体步骤:
d1所述圆柱面(1)的电火花沉积:所述数控车床控制所述焊枪(5)以弧长s为横向行进间距从远离所述圆弧过渡面(2)的一端向靠近所述圆弧过渡面(2)的一端依次沉积;
d2所述圆弧过渡面(2)的电火花沉积:所述数控车床控制所述焊枪(5)以d为横向行进间距从与所述圆柱面(1)相连的一端向靠近所述斜面(3)的一端依次沉积;
d3所述斜面(3)的电火花沉积:所述数控车床控制所述焊枪(5)以弧长s为斜面横向行进间距从与所述圆弧过渡面(2)相连的一端向靠近所述椭球面(4)的一端依次沉积;
d4所述椭球面(4)的电火花沉积:利用NURBS曲线拟合椭球面的沉积轨迹线,并采用等圆弧插补完成NURBS曲线插补点的计算,最后利用所述焊枪(5)沿着所述椭球面(4)的沉积轨迹线进行电火花沉积。
2.根据权利要求1所述的单加速单元纯铌超导腔表面铜铌改性层制备方法,其特征在于,所述步骤d1中,所述数控车床控制所述焊枪(5)以弧长s为横向行进间距为从远离所述圆弧过渡面(2)的一端向靠近所述圆弧过渡面(2)的一端依次沉积的具体步骤为:
定位至第一圈位置,所述焊枪(5)抵近至所述圆柱面(1),然后点焊式沉积,待达到一定沉积时间后离开所述圆柱面(1)向靠近所述圆弧过渡面(2)的一端运行设定s距离定位至下一圈,重复上述过程,直至所述圆柱面(1)沉积完毕。
3.根据权利要求1所述的单加速单元纯铌超导腔表面铜铌改性层制备方法,其特征在于,所述步骤d2中,所述焊枪(5)的横向行进间距d通过如下公式计算:
式中,s为弧长,r为过渡圆弧半径。
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