[发明专利]吸附树脂及其制备方法

说明书

本申请提供一种吸附树脂及其制备方法，涉及高分子材料技术领域。吸附树脂的制备方法包括：将氯乙酰化聚苯乙烯与二乙胺反应得到初产物，将初产物与氧化剂在20～80℃的温度下反应得到吸附树脂。该吸附树脂能够同时去除氯硅烷中的硼杂质和磷杂质，且去除率较高。

技术领域

本申请涉及高分子材料技术领域，具体而言，涉及一种吸附树脂及其制备方法。

背景技术

随着电子信息和太阳能光伏产业的快速发展，市场对于多晶硅的需求日益增长，大多数的多晶硅企业采用三氯氢硅氢还原工艺生产太阳能级多晶硅，三氯氢硅氢还原工艺生产电子级多晶硅的品质优劣很大程度上取决于氯硅烷的纯度高低，氯硅烷中含有痕量杂质，该些杂质包括金属氯化物、含硼磷的氯化物和氢化物以及金属化合物等，其均会对多晶硅产品的质量造成巨大影响。采用吸附法可以将氯硅烷中的杂质去除，但是现有技术中一般是单独去除氯硅烷中的硼杂质和磷杂质，不能同时去除氯硅烷中的硼杂质和磷杂质。

发明内容

本申请实施例在于提供一种吸附树脂及其制备方法，该吸附树脂能够同时去除氯硅烷中的硼杂质和磷杂质，且去除率较高。

本申请实施例是这样实现的：

本申请实施例提供一种吸附树脂，其结构式为：

本申请实施例还提供一种吸附树脂的制备方法，包括：

将氯乙酰化聚苯乙烯与二乙胺反应得到初产物，将初产物与氧化剂在20～80℃的温度下反应得到吸附树脂。

本申请实施例的吸附树脂及其制备方法至少包括如下有益效果：

该制备方法中，氯乙酰化聚苯乙烯与二乙胺进行交联反应得到初产物，通过化学修饰法在氯乙酰化聚苯乙烯上引入叔胺的化合物修饰。通过初产物与氧化剂反应，对叔胺进行氧化处理使得吸附树脂骨架上带有氧化基团，得到吸附树脂从而能够同时对氯硅烷中硼、磷进行吸附。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例1的吸附树脂的红外检测图。

具体实施方式

下面将结合实施例对本申请的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本申请，而不应视为限制本申请的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

采用吸附法可以将氯硅烷中的杂质去除，但是现有技术中一般是单独去除氯硅烷中的硼杂质和磷杂质，不能同时去除氯硅烷中的硼杂质和磷杂质。

本申请实施例提供一种吸附树脂及其制备方法，该吸附树脂能够同时去除氯硅烷中的硼杂质和磷杂质。

以下针对本申请实施例的吸附树脂及其制备方法进行具体说明：

本申请实施例提供一种吸附树脂，其结构式为

本申请的发明人在研究中发现，氯硅烷中硼杂质和磷杂质分别为路易斯酸和路易斯碱，本申请的吸附树脂中，同时含有路易斯酸和路易斯碱基团，吸附树脂中的路易斯酸基团与磷杂质发生中和反应，能够去除氯硅烷中的磷杂质，吸附树脂中的路易斯碱基团与硼杂质发生中和反应形成配合物，能够去除氯硅烷中的硼杂质形成配合物，则该吸附树脂能够同时去除氯硅烷中的硼杂质和磷杂质。

其中，本申请实施例的吸附树脂吸附硼杂质和磷杂质的机理如下：