[发明专利]一种用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法在审
申请号: | 202110651521.3 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN113588699A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 董亚丽;顾轶卓 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G01N23/2202 | 分类号: | G01N23/2202;G01N23/2251;G01B15/00;G01B15/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 刘艳霞 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 材料 局部 应变 测量 sem dic 纳米 制备 方法 | ||
1.一种用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法,其特征在于:该纳米散斑制备方法用到的散斑材料和设备包括纳米粉体、分散剂、超声清洗机、滴管和基底材料;所述制备方法包括如下步骤:
1)将纳米粉体与分散剂混合放进烧杯里形成混合液;
2)将混合液在超声清洗机中分散30min-60min;
3)将分散后的混合液置于不同容器中分别静置不同时间,所述时间至少为24h;
4)取0.1μL-0.2ml静置后的上层清液,所述上层清液为静置不同时间的混合液的任一种的上层清液;
5)将上层清液直接滴涂在基底材料表面,或者将基底材料放进所述的上层清液,经过超声清洗机超声分散30min-60min,然后取出基底材料;
6)进行分散剂蒸发;
7)获取分散均匀的纳米散斑,结合DIC,用于在SEM下测量基底材料的微区应变场。
2.根据权利要求1所述的一种用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法,其特征在于:所述纳米粉体为适应高温环境测量的粉体或SEM下导电的粉体,如纳米碳粉、纳米Al2O3粉,纳米石墨烯粉。
3.根据权利要求1所述的一种用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法,其特征在于:所述分散剂为无水乙醇或去离子水。
4.根据权利要求1所述的一种用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法,其特征在于:所述的超声分散为利用超声清洗机对分散剂和纳米粉体进行振动分散。
5.根据权利要求1所述的一种用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法,其特征在于:所述的基底材料为所要测量的材料。
6.根据权利要求1所述的一种用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法,其特征在于:所述的新的混合液为用滴管取出的上层清夜滴进新的烧杯中形成的溶液。
7.根据权利要求1所述的一种用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法,其特征在于:所述的纳米散斑为利用点滴涂布法制备的纳米散斑。
8.权利要求1-7任一项所述的用于材料微区局部应变场测量的SEM-DIC纳米散斑制备方法的用途,用于对航空航天材料如陶瓷复合材料、高温合金在室温、高温环境下由力、热载荷引起的全场变形进行非接触式、高精度测量。
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