[发明专利]一种MXene基复合金属纳米点结构气体传感器的制备方法

权利要求书

1.一种MXene基复合金属纳米点结构的气体传感器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将MXene材料与至少两种金属前驱体在分散剂中混合，在反应条件下完成金属纳米点在所述MXene材料上的自组装原位生长；

将完成金属纳米点在所述MXene材料上原位生长的复合材料均匀转移至衬底上后进行真空退火，以使所述MXene材料与所述金属纳米点形成焊接紧密接触；

在所述复合材料两侧引入金属电极，制成电阻型气体传感器；

所述金属纳米点在所述MXene 材料上自组装原位生长包括所述金属前驱体在反应条件下分解，所述MXene材料刻蚀后表面带负电，带正电的金属离子发生静电吸附，带正电的金属离子吸附插入至MXene材料层间或MXene材料表面形成金属纳米点；

所述金属前驱体为金属有机盐，所述金属有机盐包括乙酰丙酮金属盐或油酸金属盐；

所述反应条件包括在保护气氛下升温并搅拌，其中，温度范围为150-190℃，搅拌时间为1-3h。

2.根据权利要求1所述的MXene基复合金属纳米点结构的气体传感器制备方法，其特征在于：所述MXene材料包括Ti₃C₂T_x、Ti₂CT_x、Ti₂NT_x、Nb₂CT_x、Nb₄C₃T_x、Ta₂CT_x、 Ta₄C₃T_x、V₂CT_x、V₃C₂T_x、Cr₂CT_x、Cr₃C₂T_x、(Ti_0 .5Nb_0 .5)₂CT_x、Ti₃(C_0 .5N_0 .5)₂T_x或MO₂CT_x中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的MXene基复合金属纳米点结构的气体传感器制备方法，其特征在于：通过转移方法将完成金属纳米点在所述MXene材料上自组装原位生长的复合材料均匀转移至衬底上，所述转移方法包括滴涂、喷涂、旋涂或压印。

4.根据权利要求1所述的MXene基复合金属纳米点结构的气体传感器制备方法，其特征在于：所述衬底为硅、氧化硅、PI膜、PET、PU、蓝宝石、石英或玻璃中的一种。

5.根据权利要求1所述的MXene基复合金属纳米点结构的气体传感器制备方法，其特征在于：所述金属电极为铜电极、银电极、金电极、铂电极、钛电极、镍电极或铝电极的一种。

6.一种采用如上权利要求1-5任一项所述的MXene基复合金属纳米点结构的气体传感器制备方法所制备的气体传感器。

7.一种如权利要求6所述的气体传感器在可穿戴检测设备上的应用。