[发明专利]半导体激光器管壳内金线的键合方法和半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器管壳内金线的键合方法，其特征在于，所述键合方法包括如下的步骤：

在步骤1之前，预先通过实验的方式测试和选择金线焊接的工艺参数；

根据物理性能测试确定并预置金线焊接用设备的最优工艺参数；

所述工艺参数包括如下的任一项或多项：接触功率、接触压力、接触时间、键合时间、键合功率或键合压力；

物理性能测试包括如下的任一项或多项：外观观测、拉力、推力、冷热冲击、高压水煮，以及冷热冲击和高压水煮之后的外观观测、拉力或推力；

步骤1，利用镭射打标机在半导体激光器管壳需要粘贴电极的位置打标，将至少两个电极分别粘贴固定在所述半导体激光器管壳内的打标位置，且两个待连接的电极之间存在高度差；

其中，所述半导体激光器管壳上打标位置预置有定位槽，所述定位槽在所述半导体激光器管壳加工成型时制成；

步骤2，将所述金线一端焊接在两个待连接的电极中的较低的电极上，并形成第一焊点；

步骤3，将所述金线的另一端焊接在两个待连接的电极中的较高的电极上，并形成第二焊点；键合的所述金线的弧度能够支撑所述金线不塌陷，保证产品质量；

且步骤3还包括在所述第二焊点上种植第一焊球，然后切断所述金线；

步骤4，完成各所述电极之间的连接，实现各所述电极和所述半导体激光器管壳内各激光器芯片的串联；

在所述步骤4之后，所述键合方法还包括：

对键合的金线进行物理性能检验以及反射镜耦合检验，判断是否合格；

所述第一焊点和所述第二焊点的键合功率为25-45％，键合压力为80-100g；

所述金线的直径为50μm，所述第一焊点的键合功率为35％，键合压力为100g；所述第二焊点的键合功率为30％，键合压力为100g；

所述电极为电极条或电极管，所述电极条或所述电极管表面设置有镀金层；所述激光器芯片包括相互并列的两排，所述电极条或电极管为三条，其中两条与两排的所述激光器芯片并行设置，另一条设置在所述半导体激光器管壳的端部。

2.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的管壳内设置有多个激光器芯片和至少两个电极，各所述电极之间采用权利要求1所述的键合方法连接。