[发明专利]一种高线性跨导电路

权利要求书

1.一种高线性跨导电路，其特征在于，包括：

差分输入级电路，包括一组差分输入对管，将输入电压信号转换成电流信号；

IM₂注入电路，用于实现IM₂的直流耦合注入；包括第一PMOS晶体管M4、第二PMOS晶体管M5、第三PMOS晶体管M7和第一电阻R1，第一PMOS晶体管M4和第二PMOS晶体管M5的源极接电源，漏极短接后输出电压Vg1到所述差分输入级电路；第一电阻R1一端接电压Vg1，另一端接地；第三PMOS晶体管M7为电流源，其源极接电源，漏极接电压Vg1；

反馈回路，用于形成负反馈，包括第四PMOS晶体管M6、第五PMOS晶体管M8、第二电阻R2、和运算放大器OP，所述第五PMOS晶体管M8的源极接电源，第五PMOS晶体管M8的栅极和所述第三PMOS晶体管M7的栅极均受运算放大器OP的输出控制，第四PMOS晶体管M6的源极接电源，栅极接电压Vg3，第四PMOS晶体管M6和第五PMOS晶体管M8的漏极短接输出电压Vg2到运算放大器OP的输入正端，运算放大器OP的输入负端接偏置电压Vb1，所述第二电阻R2一端接电压Vg2，另一端接地。

2.根据权利要求1所述的高线性跨导电路，其特征在于，所述差分输入级电路包括第一差分输入对管M1、第二差分输入对管M2、尾电流管M3，输入信号RFP和RFN进入第一差分输入对管M1和第二差分输入对管M2的栅极，输出为第一差分输入对管M1和第二差分输入对管M2的漏极，第一差分输入对管M1和第二差分输入对管M2的源极短接，并连接到尾电流管M3的漏极，尾电流管M3的栅极接所述第一PMOS晶体管M4和第二PMOS晶体管M5的漏极。

3.根据权利要求1所述的高线性跨导电路，其特征在于，所述差分输入级电路包括第一差分输入对管M1和第二差分输入对管M2，输入信号RFP和RFN通过第一差分输入对管M1和第二差分输入对管M2的源极输入，第一差分输入对管M1和第二差分输入对管M2的栅极接所述第一PMOS晶体管M4和第二PMOS晶体管M5的漏极。

4.根据权利要求2或3所述的高线性跨导电路，其特征在于，所述第一差分输入对管M1、第二差分输入对管M2为NMOS晶体管。

5.根据权利要求4所述的高线性跨导电路，其特征在于，所述IM₂注入电路还包括第一电容C1和第二电容C2，输入信号RFP和RFN通过所述第一电容C1和第二电容C2分别交流耦合到所述第一PMOS晶体管M4和第二PMOS晶体管M5的栅极。

6.根据权利要求5所述的高线性跨导电路，其特征在于，所述IM₂注入电路还包括第三电阻R3和第四电阻R4，电压Vg3通过第三电阻R3和第四电阻R4分别加到所述第一PMOS晶体管M4和第二PMOS晶体管M5的栅极,为第一PMOS晶体管M4和第二PMOS晶体管M5提供直流偏置电压。

7.根据权利要求6所述的高线性跨导电路，其特征在于，所述第五PMOS晶体管M8和所述第三PMOS晶体管M7的尺寸相同。

8.根据权利要求7所述的高线性跨导电路，其特征在于，第四PMOS晶体管M6的尺寸是第一PMOS晶体管M4和第二PMOS晶体管M5的两倍。

9.根据权利要求8所述的高线性跨导电路，其特征在于，所述第一电阻R1的阻值和所述第二电阻R2的阻值相同。