[发明专利]一种芯片及其切割方法

说明书

本发明提供了一种芯片切割方法，包括制备芯片和切割芯片，其中切割芯片时，采用激光隐形切割工艺对若干个芯片的衬底进行分割，激光隐形切割工艺包括至少两次切割深度依次递减的激光切割，其中，第一次激光切割采用高频率、高功率和高速度的切割方式；由多次激光切割形成的激光点阵中，沿切割深度方向排列的同列激光点之间的偏移量小于10微米；本发明还提供了一种通过上述芯片切割方法制备的芯片。本发明可以更加有效的控制激光切割时产生的延伸纹路，使芯片侧壁粗化，便于实现光的取出；通过后续的激光切割可进一步释放第一次激光切割产生的应力，进一步的控制衬底侧壁的裂纹，确保在切割过程中不会导致芯片的漏电，提升芯片的IR良率。

技术领域

本发明涉及芯片制造技术领域，具体涉及一种芯片及其切割方法。

背景技术

随着人们对健康的关注意识的增加，人们对消菌杀毒产品的需求呈爆发性增长，UVC(短波紫外线)LED芯片是由第三代半导体材料GaN制备而成的，在性能方面具有使用寿命长、安全环保、可用于杀菌消毒等特点，但是UVC芯片在进行切割时容易由于生产工艺不成熟而导致芯片切割不良，易产生双胞现象，导致芯片切割良率较低，制约着UVC芯片的广泛使用。

综上所述，急需一种芯片及其切割方法以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明目的在于提供一种芯片及其切割方法，以解决芯片切割时易出现切割不良的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种芯片切割方法，包括以下步骤：

制备芯片：在衬底上制备若干个芯片；

切割芯片：采用激光隐形切割工艺对若干个芯片的衬底进行分割，激光隐形切割工艺包括至少两次切割深度依次递减的激光切割，所述切割深度具体指激光焦点与衬底底面之间的距离；其中，第一次激光切割采用高频率、高功率和高速度的切割方式；由多次激光切割形成的激光点阵中，沿切割深度方向排列的同列激光点之间的偏移量小于10微米。

优选的，所述第一次激光切割采用的激光频率为90～110kHz，采用的激光打点功率为0.36～0.56W，激光切割速度为450～650mm/s。

优选的，所述第一次激光切割的激光焦点距离芯片电流扩展层的距离为70～120微米，最后一次激光切割的切割深度为20～40微米。

优选的，所述制备芯片步骤中得到的芯片的厚度为300～420微米，第一次激光切割的切割深度为100～150微米。

优选的，最后一次激光切割的激光切割速度为300～400mm/s。

优选的，所述切割芯片步骤包括四次切割深度依次递减的激光切割；其中，第二次激光切割的切割深度为70～100微米，第三次激光切割的切割深度为50～80微米。

优选的，激光切割采用的激光波长为950～1100纳米。

优选的，所述制备芯片步骤包括先在衬底上依次生长AlN层、N型AlGaN层、MQW层、P型AlGaN层、P型GaN层；再制备出电流扩展层、P电极层、N电极层、绝缘层和接触电极层。

优选的，所述制备芯片步骤还包括对衬底进行研磨减薄。

本发明还提供了一种芯片，采用上述的芯片切割方法制成，包括沿高度方向依次层叠设置的衬底、AlN层、N型AlGaN层、MQW层、P型AlGaN层、P型GaN层、电流扩展层、绝缘层和接触电极层；还包括设置于P型GaN层上的P电极层和设置于N型AlGaN层上的N电极层。

应用本发明的技术方案，具有以下有益效果：