[发明专利]降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述降低工作电压的紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaN层、多量子阱层、p型AlGaN层、p型复合接触层及氧化铟锡层，

所述p型复合接触层包括依次层叠在所述p型AlGaN层上的Mg接触子层、MgN子层、p型GaN子层与p型InGaN子层，所述Mg接触子层包括多个相互间隔且层叠在所述p型AlGaN层上的Mg金属岛。

2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg接触子层的厚度与所述MgN子层的厚度之比为1:1～1:2。

3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg接触子层的厚度为10～50nm，所述MgN子层的厚度为20～50nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，相邻的两个所述Mg金属岛之间的距离为0.5～3nm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述MgN子层的厚度小于或者等于所述p型GaN子层的厚度。

6.根据权利要求1～3任一项所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述p型GaN子层的厚度小于所述p型InGaN子层的厚度。

7.根据权利要求1～3任一项所述的紫外发光二极管外延片，所述p型GaN子层的厚度为20～50nm，所述p型InGaN子层的厚度为50～100nm。

8.根据权利要求1～3任一项所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述p型GaN子层与所述p型InGaN子层中的p型杂质均为Mg，所述p型GaN子层中Mg的掺杂浓度小于所述p型InGaN子层中Mg的掺杂浓度。

9.一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述降低工作电压的紫外发光二极管外延片的制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型AlGaN层；

在所述n型AlGaN层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型AlGaN层；

在所述p型AlGaN层上生长p型复合接触层，所述p型复合接触层的材料包括依次层叠在所述p型AlGaN层上的Mg接触子层、MgN子层、p型GaN子层与p型InGaN子层，所述Mg接触子层包括多个相互间隔且层叠在所述p型AlGaN层上的Mg金属岛；

在所述p型复合接触层上生长氧化铟锡层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述p型AlGaN层上生长p型复合接触层，包括：

向反应腔内通入10～60s的流量为100～600sccm的Mg源，以在p型AlGaN层上形成多个相互间隔的Mg金属岛，得到所述Mg接触子层；

在所述Mg金属子层上依次生长MgN子层、p型GaN子层及p型InGaN子层。