[发明专利]具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110653438.X | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113549237B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王冰花;陈静波;张彬;周子渊;张智培 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;C08J5/18;C08L27/16 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 张立强 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 网状 拓扑 结构 聚偏氟 乙烯 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：采用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜；所述采用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜的具体步骤为：将聚偏氟乙烯加到溶剂中，所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺，配制浓度为0.6～1.5wt%的溶液，采用旋涂法在硅片表面制备聚偏氟乙烯纳米薄膜；所制备的聚偏氟乙烯纳米薄膜厚度为5～20 nm；
步骤2：将步骤1得到的聚偏氟乙烯纳米薄膜进行溶剂蒸气退火即可得到具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜；所述溶剂蒸气退火采用的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺，所述溶剂蒸气退火的退火时间为5min～60 min；所述溶剂温度为20℃。
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