[发明专利]一种具有电容结构的光电器件

权利要求书

1.一种具有电容结构的光电器件，其特征在于：包括

衬底层；

外延层，设置于所述衬底层上；

光电转换单元，设置于所述外延层之中，能接收光信号产生电信号，或者根据接收的电信号对光信号进行调制；

第一电极、第二电极和第三电极，均设置于所述外延层之中；所述第一电极和所述第二电极分别连接于所述光电转换单元的两极；所述第三电极与所述第二电极平行以构造成平行板电容器；所述第一电极还接地。

2.根据权利要求1所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述光电转换单元为PIN结构、MSM结构或者雪崩结构。

3.根据权利要求2所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述光电转换单元为PIN结构，包括依次叠加的第一p型半导体层、本征层和第一n型半导体层；所述第一电极连接于所述第一n型半导体层，所述第二电极连接于所述第一p型半导体层。

4.根据权利要求3所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述第一p型半导体层为p型锗层，所述本征层为本征锗层，所述第一n型半导体层为n型硅层。

5.根据权利要求2所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述光电转换单元为MSM结构，包括依次叠加的第一金属层、半导体层和第二金属层，所述第一电极连接于所述第一金属层，所述第二电极连接于所述第二金属层。

6.根据权利要求2所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述光电转换单元为雪崩结构，所述雪崩结构的两极分别为第二p型半导体层和第二n型半导体层，所述第一电极连接于所述第二n型半导体层，所述第二电极连接于所述第二p型半导体层。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述衬底层的材质为硅，所述外延层的材质为二氧化硅。

8.根据权利要求1～6任意一项所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述光电器件为光电探测器，所述光电转换单元为光吸收单元。

9.根据权利要求1～6任意一项所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述光电器件为电光调制器，所述光电转换单元为光调制单元。

10.根据权利要求1所述的具有电容结构的光电器件，其特征在于：所述第二电极和所述第三电极的形状相同，均为圆形或者方形；所述第二电极和所述第三电极的材质相同，均为铝。