[发明专利]离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入方法，其特征在于，包括在半导体基底上形成注入掩膜的步骤，形成所述注入掩膜的步骤包括：

在所述半导体基底上形成ONO叠层，所述ONO叠层包括从下至上依次叠加的第一氧化层、氮化层和第二氧化层；

以垂直于所述半导体基底上表面的角度刻蚀所述第二氧化层，以形成贯穿所述第二氧化层且露出所述氮化层的第一开口；

从第一开口继续向下刻蚀，以基于所述第一开口形成第二开口，所述第二开口贯穿所述第二氧化层和所述氮化层且露出所述第一氧化层；

其中，当所述第二开口的深度满足离子注入要求时，以具有所述第二开口的ONO叠层作为所述注入掩膜。

2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，在形成所述ONO叠层的步骤中，调节所述氮化层和/或所述第二氧化层的厚度，使得所述第二开口的深度满足离子注入要求。

3.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为1μm～2μm，所述第二氧化层的厚度为

4.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为所述第二氧化层的厚度为1μm～4μm。

5.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为

6.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，当所述第二开口的深度小于离子注入要求的深度时，在形成所述第二开口后，所述注入掩膜的形成步骤还包括：

在所述半导体基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层填满所述第二开口且上表面高于所述第二氧化层的上表面；

对所述光刻胶层进行曝光和显影处理，以基于所述第二开口形成第三开口，所述第三开口贯穿所述光刻胶层、所述第二氧化层和所述氮化层且露出所述第一氧化层；

其中，调整所述光刻胶层的厚度使得所述第三开口的深度满足离子注入要求，以具有所述第三开口的所述ONO叠层和所述光刻胶层整体作为所述注入掩膜。

7.如权利要求6所述的离子注入方法，其特征在于，所述第三开口包括位于所述ONO叠层中的第二开口和与所述第二开口连通且位于所述光刻胶层中的光刻胶孔，所述光刻胶孔的底部至少露出部分所述第二氧化层的上表面。

8.如权利要求7所述的离子注入方法，其特征在于，所述光刻胶孔底部露出的所述第二氧化层的上表面为内侧与所述第二开口侧壁连接的环形面。

9.如权利要求8所述的离子注入方法，其特征在于，所述环形面的宽度大于且小于

10.如权利要求1至9任一项所述的离子注入方法，其特征在于，所述第二开口的最小内径小于或等于0.5μm。

11.如权利要求1至9任一项所述的离子注入方法，其特征在于，所述离子注入方法还包括利用所述注入掩膜对所述半导体基底进行离子注入的步骤，以及在离子注入结束后去除所述注入掩膜的步骤。