[发明专利]一种石英反应腔的维护方法在审
申请号: | 202110654052.0 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113388893A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 张哲;巩雨锋;刘波 | 申请(专利权)人: | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | C30B31/10 | 分类号: | C30B31/10;C30B31/16 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 罗磊 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石英 反应 维护 方法 | ||
1.一种石英反应腔的维护方法,其特征在于,包括以下步骤:
在石英反应腔室中完成上一批次晶圆的N型离子掺杂工艺,承载晶圆的承载室的环境为氮气环境,且所述石英反应腔室的腔室壁上具有残留物膜层,所述残留物膜层的表面析出有固体的N型离子;
将所述承载室的环境设置为大气环境,并将承载室空载后装载至石英反应腔室中;
增加所述石英反应腔室的温度至预设温度,所述大气环境中的氧气与残留物膜层的表面析出有固体的N型离子反应形成杂质气体,并在石英反应腔室的腔室壁上形成硅氧薄膜;以及
将石英反应腔室中的所述杂质气体抽出。
2.如权利要求1所述的维护方法,其特征在于,所述N型离子掺杂工艺包括磷离子掺杂工艺。
3.如权利要求1所述的维护方法,其特征在于,所述预设温度为高于400℃的温度。
4.如权利要求1所述的维护方法,其特征在于,所述硅氧薄膜包括二氧化硅薄膜。
5.如权利要求2所述的维护方法,其特征在于,所述杂质气体为氧化磷气体。
6.如权利要求1所述的维护方法,其特征在于,将石英反应腔室中的所述杂质气体抽出具体为:
利用干泵将石英反应腔室中的气体抽出直至石英反应腔室接近真空状态。
7.如权利要求6所述的维护方法,其特征在于,还利用干泵将石英反应腔室中未反应完的氧气和大气中的氮气抽出直至石英反应腔室接近真空状态。
8.如权利要求1所述的维护方法,其特征在于,所述维护方法应用于两个批次晶圆的N型离子掺杂工艺之间。
9.如权利要求1所述的维护方法,其特征在于,所述石英反应腔为石英管。
10.如权利要求9所述的维护方法,其特征在于,所述石英反应腔在其延伸方向具有一开口,该开口为高温扩散炉的炉口,所述装载室位于所述炉口处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司,未经广州粤芯半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110654052.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆
- 下一篇:一种气管插管固定器