[发明专利]一种场效应导通沟道光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种场效应导通沟道光电探测器，其特征在于：包括

波导层；

耗尽层，设置于所述波导层上；所述耗尽层包括沿横向并排设置的P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和所述N型半导体之间形成耗尽区；所述耗尽区的宽度配置成根据入射至波导层的信号光的强度动态变化；

电极层，包括第一电极以及第二电极；所述第一电极以及第二电极间隔的设置在所述耗尽层上，且所述第一电极与第二电极的两端配置为在没有信号光入射时，正好与耗尽区的边缘保持平齐。

2.根据权利要求1所述的场效应导通沟道光电探测器，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极分别设置于所述耗尽区上垂直于横向的前后两端。

3.根据权利要求1所述的场效应导通沟道光电探测器，其特征在于：所述光电探测器还包括相互连接的二氧化硅外延层和基底硅层；所述波导层、所述耗尽层和所述电极层均设置于所述二氧化硅外延层之中。

4.根据权利要求1所述的场效应导通沟道光电探测器，其特征在于：所述P型半导体为P型锗基半导体，所述N型半导体为N型锗基半导体。

5.根据权利要求1所述的场效应导通沟道光电探测器，其特征在于：所述P型半导体为P型硅基半导体，所述N型半导体为N型硅基半导体。

6.根据权利要求1所述的场效应导通沟道光电探测器，其特征在于：所述光电探测器为三五族探测器。

7.一种如权利要求1～6任意一项所述的场效应导通沟道光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

首先通过合金法、扩散法、离子注入法或者外延生长法制备具有PN结的半导体器件，形成所述P型半导体、耗尽区和所述N型半导体；其中，PN结的宽度以同一强度信号光能引起所述耗尽区宽度变化的最大值来设置；

然后在PN结上分别间隔沉积所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极的两端和所述第二电极的两端分别连接于所述P型半导体和所述N型半导体；

最后将所述P型半导体和所述N型半导体远离所述第一电极和所述第二电极的一面连接在所述波导层上。