[发明专利]一种侧向耦合光电探测器

权利要求书

1.一种侧向耦合光电探测器，其特征在于：包括

衬底层；

波导层，设置在所述衬底层之上，波导层的上表面设置多条平行且等距的方形沟槽，每两条沟槽之间形成方形凸起的波导柱，沟槽的宽度等于波导柱的宽度，所述波导柱的宽度匹配一个或多个耦合周期；重复的沟槽和波导柱形成楔形结构；

吸收层，设置在所述波导层之上，临近于所述楔形结构的一侧；所述吸收层和所述波导层之间形成异质结；所述吸收层构造成在光入射时产生载流子；

电极层，包括第一电极和第二电极；所述第一电极设置在所述吸收层之上；所述第二电极设置在所述波导层之上，临近于所述楔形结构的另一侧。

2.根据权利要求1所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：所述衬底层的材质为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：所述波导层的材质为硅。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：所述吸收层的材质为锗。

5.根据权利要求1所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：所述第一电极和第二电极的材质均为Al、Ni或Au。

6.根据权利要求1所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：每条所述沟槽均横向贯穿所述波导层的上表面。

7.根据权利要求1所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：所述吸收层为条形，平行于所述沟槽。

8.根据权利要求7所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：所述吸收层的宽度约为一个耦合长度。

9.根据权利要求7所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：所述吸收层的长度等于一个波导柱的长度。

10.根据权利要求1所述的侧向耦合光电探测器，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极均为条形，均平行于所述沟槽。