[发明专利]像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片

权利要求书

1.一种像元错位的铟镓砷线列探测器，其特征在于，所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行平行排列的像元；相邻行中的像元沿行方向错位设置。

2.如权利要求1所述的铟镓砷线列探测器，其特征在于，所述铟镓砷线列探测器还包括读出电路；

所述读出电路与所述铟镓砷光敏芯片电连接；

所述读出电路用于从所述铟镓砷光敏芯片读取光电转换信号。

3.如权利要求2所述的铟镓砷线列探测器，其特征在于，所述铟镓砷线列探测器还包括互连层；所述互连层包括分别设置于所述铟镓砷光敏芯片的下表面和所述读出电路的上表面且一一对应的电极组；

所述铟镓砷光敏芯片和所述读出电路通过所述互连层电连接。

4.如权利要求3所述的铟镓砷线列探测器，其特征在于，所述铟镓砷光敏芯片的下表面覆盖有钝化膜层；

所述电极组包括设置于所述铟镓砷光敏芯片下表面的电极凸块，所述电极凸块凸出于所述钝化膜层。

5.如权利要求2所述的铟镓砷线列探测器，其特征在于，所述读出电路还设置有若干外接电极，所述外接电极用于和外部接口电连接，以将所述光电转换信号发送至外部。

6.如权利要求5所述的铟镓砷线列探测器，其特征在于，所述外接电极通过引线键合方式将所述光电转换信号发送至所述外部接口。

7.如权利要求1所述的铟镓砷线列探测器，其特征在于，各行中的像元沿行方向等距排列，且相邻行中的像元在行方向的错位距离为同一行中相邻像元的中心距的二分之一。

8.一种基于铟镓砷线列探测器的检测方法，其特征在于，所述检测方法采用权利要求2～7中任一项所述的铟镓砷线列探测器进行，包括步骤：

对检测对象进行推扫式成像以得到成像数据，所述成像数据由所述铟镓砷线列探测器的像元分别获取的像元信号转化得到；

根据阈值范围，确定所述像元信号中的异常值；

根据所述异常值判定所述检测对象与所述像元对应的位置为异常位置。

9.一种铟镓砷光敏芯片，其特征在于，包括至少两行平行排列的像元；相邻行中的像元沿行方向错位设置。

10.如权利要求9所述的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，各行中的像元沿行方向等距排列，且相邻行中的像元在行方向的错位距离为同一行中相邻像元的中心距的二分之一。