[发明专利]一种氮化镓单晶材料、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110655180.7 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113308741B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈晨龙;王俪霖;苗雨;李俊谕;孙姝婧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 杨晓云 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓单晶 材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种氮化镓单晶材料，其特征在于，所述氮化镓单晶材料为相互交联的氮化镓单晶纳米片；所述交联处为单晶结；
所述氮化镓单晶纳米片在镓酸锂衬底上沿两个方向倾斜排列。
2.根据权利要求1所述的氮化镓单晶材料，其特征在于，所述氮化镓单晶纳米片的晶面为氮化镓的晶面。
3.权利要求1至2任一项所述的氮化镓单晶材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
(1)获得含有金属A涂层的(010)面镓酸锂单晶衬底；
(2)将金属镓与含有氨气的原料气接触反应，在含有金属A涂层的(010)面镓酸锂单晶衬底上沉积，即可得到所述氮化镓单晶材料；
金属A选自金、镍、铜中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射方法获得所述含有金属A涂层的镓酸锂单晶衬底。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述金属A涂层的厚度为1-30nm。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述反应的条件为：压力为30-200托；温度为700-1000℃；时间为20min-120min。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述含有氨气的原料气中，还含有氮气和氢气。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述含有氨气的原料气中，
氨气的流量记为a，0.05SLM≤a≤4SLM；
氮气的流量记为b，0SLM≤b≤5SLM；
氢气的流量记为c，0SLM≤c≤4SLM。
9.权利要求1至2任一项所述的氮化镓单晶材料中的至少一种和/或根据权利要求3至8任一项所述方法制备得到的氮化镓单晶材料中的至少一种在光电材料中的应用。
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