[发明专利]基于银铜合金电极的突触仿生器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于银铜合金电极的突触仿生器件，其特征在于，所述突触仿生器件的结构是在衬底上依次制备有铂底电极层、氧化铪膜层和银铜合金顶电极层。

2.根据权利要求1所述的突触仿生器件，其特征在于，所述器件自下而上依次包括硅衬底、二氧化硅绝缘层、钛粘附层、铂底电极层、氧化铪膜层以及银铜合金顶电极层。

3.根据权利要求1所述的突触仿生器件，其特征在于，铂底电极层采用电子束沉积法制备，其厚度为50~70nm。

4.根据权利要求1所述的突触仿生器件，其特征在于，氧化铪膜层采用磁控溅射法制备，其厚度为15~25nm。

5.根据权利要求1所述的突触仿生器件，其特征在于，银铜合金顶电极层采用磁控溅射法制备，其厚度为60~80nm。

6.根据权利要求1所述的突触仿生器件，其特征在于，银铜合金顶电极层中，银与铜的原子比为1∶1。

7.一种权利要求1~6任一所述突触仿生器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、粘附层溅射：采用磁控溅射设备在二氧化硅/硅衬底上溅射钛粘附层，所述钛粘附层的厚度为20~25nm；

b、底电极层沉积：采用电子束蒸镀法在步骤a所得样品上沉积铂底电极层；

c、阻变层制备：将步骤b所得样品固定在磁控溅射设备腔体的样品台上，抽真空至1×10^-4~4×10^-4 Pa，通入氩气和氧气，使工作压强维持在2~4 Pa，然后在溅射功率70~90W条件下溅射氧化铪靶材50~80min，制得氧化铪膜层；

d、在步骤c所得样品上放置掩膜版，并固定在磁控溅射设备腔体的样品台上，抽真空至1×10^-4~4×10^-4 Pa，通入氩气，使工作压强维持在2~4 Pa，然后在溅射功率8~12W的条件下溅射银铜合金靶材10~20min，制得银铜合金顶电极层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤c中，氩气和氧气的流量比为1∶2。